mosfet问题请教

yzbga

今天看到一个充电部分的电路，用的是NTLJ3115P，内含2个p-channel mosfet，该电路将这两个mosfet串起来使用在充电通路内，我印象里p-channel的mos管，一般用s端做输入，d端做输出，可是这个电路第一个mos管将d端做输入，s端做输出，另一个mos管s端做输入，d端做输出，统一用g端来做控制。
我想请教的是，对于p-channel的mosfet，D端和S端什么情况下可以反接？
谢谢！

kully

单独封装的P MOS内含体二极管，该体二极管是从D-〉S的，所以可以流过电流。把你的充电电路发上来，这样可以更具体的分析。[em30]

yzbga

电路的接法记不清楚了，就对这部分印象比较深。
是不是由于体二极管的存在，导致在d端有输入后，s端也会有电压出现，然后Vgs就达到了导通电压，mos管沟道也就导通了？

ElliotLee

以下是引用yzbga在2009-6-17 22:04:32的发言：
今天看到一个充电部分的电路，用的是NTLJ3115P，内含2个p-channel mosfet，该电路将这两个mosfet串起来使用在充电通路内，我印象里p-channel的mos管，一般用s端做输入，d端做输出，可是这个电路第一个mos管将d端做输入，s端做输出，另一个mos管s端做输入，d端做输出，统一用g端来做控制。
我想请教的是，对于p-channel的mosfet，D端和S端什么情况下可以反接？
谢谢！

这是背靠背的用法。
在charger未插乳时，一个mos是由body diode导通，另外一个不导通，永远如此。
这样，Battery里的电压不会灌入充电器插入，可以防止因插口对地短路造成battery过流烧坏。
当charger插入时，两个mos同时导通。
因导通后Rds_on较小，所以在Rds_on上形成的压降也较小，从而功耗较低，而充电时手机内部的温度也不会太高。
只要charger电压够高，把这两个mos换成肖特基或一般二极管也可以，但损耗将会大幅增加，充电时内部温度也会很高。

至于DS什么情况下可以反接，应该说什么时候都可以反接，只是要看你打算怎么用它。

BTW，楼主可方便提供线路图？？

Tookobe

楼上解释很到位!!!!!!!!!!!!