PA设计LDMOS管子级间线性(IMD\ACPR)对消理论依据是什么?

happyren123 · 发表于 2009-4-11 15:15:11

设计LDMOS管子级间线性(IMD\ACPR)对消,是PA设计工程师经常遇到的现象:
就是推动级管子三阶互调或ACPR调试最佳状态, 末级管也是调试到最佳状态,然后级联起来看线性却发现很差(各个管子匹配的S11/S22都很好); 如果级联后把三阶互调或ACPR调试最佳状态,再分开看各个管子,线性反而差,尤其是推动级LDMOS管子.应该是与AM--AM/AM-PM有直接的关系的,但是一直没有找可靠的理论资料,

看看哪位高手对这方面研究比较深,请教请教!
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zltogo · 发表于 2009-4-11 23:35:47

恩,你说到了一点..

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