MRAM, FeRAM, PCM技術發展分析

Tiborlee · 发表于 2008-11-26 14:09:55

目前研發中的快閃記憶體可以分為磁性隨機存取記憶體(Magnetic RAM)、非揮發性鐵電記憶體(Ferro electric RAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM或稱Ovonic Universal Memory；OUM) 3大類。這3類記憶體分別針對更低的耗電、更多寫入次數、更有效清除方式，及更高效能的讀取速度…等要項進行突破…
非揮發性記憶體的技術與應用，原本在整個系統的記憶體中屬次要的非主流零組件，主因是在切斷電源時還能保留記憶的儲存技術，通常寫入時須採更高的工作電壓與較長的寫入時間，且讀/寫次數壽命受限。在寫入不易、次數不多狀況下，過去非揮發性記憶體只能用於存取次數較不頻繁的功能性元件，例如，BIOS、嵌入式系統韌體…等。
不過，隨著消費性電子產品興起，需輕薄、迷你的儲存裝置，加上NAND快閃記憶體發展成熟，需快閃記憶體取代儲存功能，加上快閃記憶體存取速度不斷提升，亦發展出如SSD的新式儲存應用。換言之，快閃記憶體可以是元件、亦可以是產品，市場關注程度已逐漸超越DRAM。
Flash受手機多媒體需求帶動，將朝向更大容量、更高讀/寫速度邁進。據Gartner Dataquest於2007年3月報告指出，2006年快閃記憶體營收總額已超過200億美元(NOR Flash與NAND Flash合計202.3億美元)。

【文件名】:081126@52RD_MRAM FeRAM PCM技術發展分析.doc
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zhuceyonghu1 · 发表于 2009-7-5 12:33:54

多谢楼主分享

hzp_58 · 发表于 2009-7-11 13:37:39

谢谢!!!!!!!!!!!!

cyt20050511 · 发表于 2009-7-21 09:16:46

dddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddd

cyt20050511 · 发表于 2009-7-21 09:17:49

值得一看，TKS

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