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[讨论] ARM9,ARM11开发板调试问题汇总

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发表于 2008-11-16 13:25:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
目的:共同解决大家在调试ARM开发板中出现的疑难杂症

我在调试S3C6410时出现如下之怪现象:

NAND里面烧进NBOOT,EBOOT以及NK之后,启动配置成NAND启动,
系统只能跑到EBOOT,串口信息打印出来的消息出现严重乱码,但是
仍然能大致看出已经跑到了EBOOT,而且使用DNW软件监控时直接造
成DNW死机,只能通过超级终端才能见到有乱码的信息,系统无法进去,
查了如下原因,仍然不见好转,请教高人指教!

1:复位电路。
板子采用RC复位,没有使用专用的复位芯片,个人觉得这不是主要问题,就算
复位不可靠,也会出现偶尔能进系统的情况,况且已经跑到了EBOOT。
2:RTC。
板上4.2V电池供电,经一二级管降压,到RTC的电压为3.9V。SPEC上说要2.5V,
通过电阻分压到2.5V后问题依旧。个人觉得这也不是主要问题,因为32768HZ的
晶振已经起振了,而且波形很漂亮。
3:JTAG电路
完全按照三星推荐的电路,可以保证没有问题
4:供电
供电有MEM0,MEM1,PLL,IO,AD/DA,CORE,interface等,各供电经过DC-DC以及
LDO提供,输出电压稳定,除CORE的1.2V电压稍降外都很稳,经滤波电容改善等,
效果依旧。这里不敢保证没问题,但是已经试过很多次问题依旧
5:DDR走线,时钟走线
专业PCB工程师走线,经验丰富,有无问题尚待查证
6:其他

说明:板子采用ARM11的ARM1176JZF-S核,目前手上没有支持该核的仿真器,调试时
通过开发板烧好NAND程序再贴上去的,反复验证过NAND的程序没问题

请各位高人指教,问题出在哪???????????????????????
发表于 2008-11-18 11:51:23 | 显示全部楼层
[em04]
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发表于 2009-2-16 14:56:52 | 显示全部楼层
先确认你的power sequence是否正确?同时确认你的电脑的串口线是否阻抗偏大?接触是否良好。
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发表于 2009-6-14 14:23:50 | 显示全部楼层
你用的DDR是什么封装的?因为TSOP与BGA是不一样的,TSOP供电电压是要软件来解决才能全部跑正常,否则你就只能跑EBOOT就死了,另外ARM-CORE电源一定要稳定,这个电源很重要
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发表于 2009-6-15 16:49:19 | 显示全部楼层
楼主的问题应该解决了吧,能否分享下经验。个人觉得EBOOT过程需要配置外围器件,是否有这个问题,另外系统供电电压的上电时序和晶振的起振都有关系的。[em12]
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发表于 2009-10-14 13:33:36 | 显示全部楼层
在这里再次遇到你?嘿嘿。解决了吗
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发表于 2009-10-15 15:53:37 | 显示全部楼层
波特率吧。
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