液晶屏设计的好坏直接关系到智能手机的整体性能表现

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液晶屏设计的好坏直接关系到智能手机的整体性能表现，然而液晶显示屏种类繁多，工程师需要针对各种显示屏的时序匹配、电源要求以及控制器的不同特点进行设计。本文介绍了PXA27x内部集成LCD控制器的特点、驱动实现方法以及相关的电源设计，并提出了电磁兼容设计建议。
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全球智能手机市场正处于高速增长时期，市场研究公司Gartner预测，随着掌上电脑需求的下降，全球智能手机销售量2004年将增长到1400万部，增长率达140%，预期到2007年将大幅成长至4500万。面对日益成长的智能手机市场，各家芯片厂商都相继推出具有各自特色的芯片方案：如Freescale公司的i.MX21处理器嵌入了多媒体加速技术，支持MPEG4和H.263；Intel PXA27x Bulverde处理器内嵌MMX技术和SpeedStep省电技术，支持MPEG4、MP3解码和400万像素的摄像。多媒体应用也成为下一代手机一大亮点，在手机上看电影、看电视、玩游戏等是下一代手机的发展趋势。
Intel PXA27x是一款具有较好多媒体应用效果的处理器，利用该处理器甚至可以令最终用户获得在移动通讯设备上的3D游戏体验。堪称智能手机眼睛的LCD屏设计效果的好坏，无疑成为消费者选择的最重要的因素之一。下面详细介绍一下基于PXA27x 处理器的智能手机中LCD的设计与实现。

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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, execute In Place)，这样应用程序可以接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较
　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
    由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
    执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。
    ● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
    ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
    ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。


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