InGaP HBT与CMOS工艺比较

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InGaP HBT与CMOS工艺比较

InGaP HBT与CMOS工艺比较
手机和无线网络产品的设计人员都知道，功率放大器（PA）是关系到性能、占位面积和电池寿命的决定性因素。选择正确的PA是一项关键决策，可以帮助设计人员实现一个具有竞争优势的一流设计。当前大部分手机PA都是采用砷化镓GaAs双极晶体管（名为InGaP HBT，即磷化镓铟异结双极晶体管）制造的，只有一小部分采用的是硅CMOS。相比于GaAs，CMOS能够实现更高的集成度，而且成本也更低，因此硅是否能够取代GaAs以及何时能取代它，就成为一个经常被提起的问题。

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