如何通过仿真单管本征增益来确定基本工艺参数

chibijia

我现在正在做带隙基准的论文，由于不知道器件的主要电路参数，需要进行手工推导：
      请问如何通过仿真单管nmos_3p3、pmos_3p3的本征增益，仿真条件为W/L=9u/2u，电流源Id=25uA，过驱动电压为0.2V,怎样得到它的沟道长度调制系数Lambda和unCox、upCox。求答案，先谢下