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[讨论] 如何在标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?

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发表于 2006-2-5 19:17:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
我要在一个标准的数字CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管, 也就是说, 二极管的两端不是接地的,  一般有两种方法, 一种是坐在p衬底中, 另一种是做在n阱中的,  第一中方法必须反偏. 第二种方法存在很大的电流从p+流向衬底. 看来也不适合.
有没有其它好的方法在 标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?
多谢各位!!!
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