如何在标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?

leonken · 发表于 2006-2-5 19:14:00

我要在一个标准的数字CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管, 也就是说, 二极管的两端不是接地的, 一般有两种方法, 一种是坐在p衬底中, 另一种是做在n阱中的, 第一中方法必须反偏. 第二种方法存在很大的电流从p+流向衬底. 看来也不适合.
有没有其它好的方法在标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?
多谢各位!!!

xmysz · 发表于 2006-11-13 03:08:00

有办法的，好好想想[em01]

chudong · 发表于 2006-12-8 14:30:00

请问楼主，坐在衬底与做在n阱中，怎么实现悬浮呢？没听懂！能不能具体说说？

ccttwwyy · 发表于 2007-1-19 14:23:00

在N井里面挖个P井。在这个P井里面做个N+。符合你的要求吗？
SMIC工艺可以这么做。

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