大家知道发射机远端相位噪声怎样改善吗？

pair118

<P>发射机的相位噪声要求：- 75dbc/HZ@1K,  -85dbc/HZ@10k     但是我现在的发射机相位噪声是 ：- 80dbc/HZ@1K,  -81dbc/HZ@10k    </P>
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我的发射机载波信号是通过数字频率合成器合成的,本振是一个用分离元件做的TCVCXO,其相位噪声为 ：-99.82dbc/HZ@1K,  -103dbc/HZ@10k,-115dbc/HZ@100K,-133.67dbc/HZ@1M,       输出功率为 10.7dbm ，TCVCXO输出端先经过一个10pF的串联电容,再经过一个10pF的并联电容,到达数字频率合成器参考频率输入端的功率为-11.5dBm，测试发射机的相位噪声为 ：  - 80dbc/HZ@1K,     -88dbc/HZ@10k  , 满足指标 </P>
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  但是当我换成另外一种集成的TCVCXO,其相位噪声和用分离元件做的TCVCXO 相位噪声一样,输出功率为:9.7dbm,比用分离元件做的TCVCXO 的输出功率小1dB ，然后测试发射机的相位噪声为 ：- 80dbc/HZ@1K,  -81dbc/HZ@10k ， 10K时不满足指标，为了改善10K时的相位噪声，我在集成的TCVCXO的输出端加了一放大器， 使输出功率为10.7dbm，然后调节放大器输出端与数字频率合成器参考频率输入端之间的串联电容，使之加大，并联电容还是10pF,使数字频率合成器参考频率输入端的功率为-11.5dBm，和用分离元件做的TCVCXO输出端到频率合成器参考频率输入端的功率一样大, 相位噪声也一样，然后测试发射机的相位噪声为 ：   -80dbc/HZ@1K    - 84dbc/HZ@10k， 10K时还是达不到指标。</P>
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现在的问题是既然用分离元件做的TCVCXO和后面加了放大器的集成的TCVCXOf的输出端到达数字频率合成器参考频率输入端输入的功率和相位噪声都一样，为什么发射机的相位噪声不一样啊！！！！！！

现在正郁闷  不知道怎么解决这个问题  有那位高手知道我这个问题怎么解决吗？</P>

vany0001

你的环路带宽设置不对吧，要小于10K