好东西大家一起分享！免费提供LDO的选用方法！

joncege · 发表于 2006-1-19 12:56:00

LDO的选用方法，供大家参考！
【文件名】:06119@52RD_(LDO)SPX1117_cn.pdf
【格　式】:pdf
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下里巴人 · 发表于 2006-1-19 21:47:00

look 先

joncege · 发表于 2006-1-20 12:16:00

选择 LDO 的方法输入、输出以及降低电压
选择输入电压范围可以适应电源的LDO。下表列出了便携式设备所采用的、流行的电池化学物质的电压范围。 在确定 LDO 是否能够提供预期输出电压时，需要考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即 VIN > VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的电压以下，则我们说 LDO 出现"压降"，输出等于输入减去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以负载电流。 需要注意压降时的性能变化。驱动旁路晶体管的误差放大器完全打开或者出于"待发状态"(cocked)，因此不产生任何环路增益。这意味着线路与负载调节很差。另外，PSRR 在压降时也会显著降低。 选用可提供预期输出电压的 LOD 作为节省外部电阻分压器成本与空间的固定选项，外部电阻分压器一般用于设置可调器件的输出电压。利用可调 LDO 可以设置输出，以提供内部参考电压，其一般为 1.2V 左右，只需把输出连接到反馈引脚。请与厂商确认是否具备该功能。

scdma2008 · 发表于 2006-1-23 15:51:00

顶[em01]

joncege · 发表于 2006-1-24 17:20:00

电池电压<TABLE black; WIDTH: 100%; mso-cellspacing: .7pt; mso-padding-alt: 3.0pt 3.0pt 3.0pt 3.0pt" cellSpacing=1 cellPadding=0 width="100%" border=0><TR 0; mso-yfti-firstrow: yes"><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">电池的化学成分</TD><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">电压范围</TD></TR><TR 1"><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">锂离子/锂聚合物</TD><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">2.7～4.2V（额定3.6V）</TD></TR><TR 2"><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">NiMH/NiCd</TD><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">0.9～1.5V（额定1.2V）</TD></TR><TR 3; mso-yfti-lastrow: yes"><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">AA/AAA</TD><TD #d4d0c8; PADDING-RIGHT: 3pt; BORDER-TOP: #d4d0c8; PADDING-LEFT: 3pt; BACKGROUND: white; PADDING-BOTTOM: 3pt; BORDER-LEFT: #d4d0c8; PADDING-TOP: 3pt; BORDER-BOTTOM: #d4d0c8">0.9～1.5V（额定1.5V）</TD></TR></TABLE>封装与功耗
便携式应用本质存在空间限制，因此解决方案的大小至关重要。裸片可以最小化尺寸但是缺乏封装的诸多优势，如：保护、行业标准以及能够被现有装配架构轻松采用等特性。芯片级封装 (CSP) 能在提供裸片的尺寸优势的同时还可以带来封装的许多优势。 在无线手持终端市场需求的推动下，CSP产品正不断推陈出新。例如，采用0.84 x 1.348-mm CSP的德州仪器 (TI) 200mA RF LDO（参见图1）预计将于9月份上市，其采用可实现轻松装配以及高板级可靠性的技术。 <v:shapetype><v:stroke joinstyle="miter"></v:stroke><v:formulas><v:f eqn="if lineDrawn pixelLineWidth 0"></v:f><v:f eqn="sum @0 1 0"></v:f><v:f eqn="sum 0 0 @1"></v:f><v:f eqn="prod @2 1 2"></v:f><v:f eqn="prod @3 21600 pixelWidth"></v:f><v:f eqn="prod @3 21600 pixelHeight"></v:f><v:f eqn="sum @0 0 1"></v:f><v:f eqn="prod @6 1 2"></v:f><v:f eqn="prod @7 21600 pixelWidth"></v:f><v:f eqn="sum @8 21600 0"></v:f><v:f eqn="prod @7 21600 pixelHeight"></v:f><v:f eqn="sum @10 21600 0"></v:f></v:formulas><v:path connecttype="rect" gradientshapeok="t" extrusionok="f"></v:path><lock aspectratio="t" v:ext="edit"></lock></v:shapetype><v:shape><v:imagedata></v:imagedata></v:shape> 图1：与SOT-23和SC-70封装相比，采用芯片级封装的LDO同时具备裸片尺寸优势与封装优势 其他小型封装包括流行的3x<st1:chmetcnv w:st="on" UnitName="mm" SourceValue="3" HasSpace="False" Negative="False" NumberType="1" TCSC="0">3mm</st1:chmetcnv> SOT-23、小型2.13x<st1:chmetcnv w:st="on" UnitName="mm" SourceValue="2.3" HasSpace="False" Negative="False" NumberType="1" TCSC="0">2.3mm</st1:chmetcnv> SC-70以及亚<st1:chmetcnv w:st="on" UnitName="毫米" SourceValue="1" HasSpace="False" Negative="False" NumberType="1" TCSC="0">1毫米</st1:chmetcnv>高度封装 (sub-1-mm-height package)、ThinSOT及无引线四方扁平封装 (QFN)。由于在下侧采用了能够在器件与PC板之间建立高效散热接触的散热垫，QFN 因而可提供更好的散热特性。 请注意不要超过封装的最大功耗额定值。功耗可以采用PDISSIPATION = (VIN-VOUT)/(IOUT + IQ) 进行计算。一般来说，封装尺寸越小，功耗越小。但是QFN封装可以提供极佳的散热性能，这种性能完全可与尺寸是其1.5～2倍的众多封装相媲美。 LDO拓扑与IQ 
为了最大化电池的运行时间，需要选择相对于负载电流来说静态电流IQ较低的LDO。例如，考虑到IQ 只增加0.02％的微不足道的电池消耗，在100mA负载情况下，一般采用200μA的IQ比较合理。 另外，还需要注意的是，由于电池放电特性，某些情况下压降会对电池寿命产生决定性影响。由于碱性电池放电速度较慢，其电源电压在压降情况下可以提供比NiMH电池更多的容量。必须在 IQ 和压降之间仔细权衡，以便在电池寿命期间获得最大的容量，因此，较低的IQ并不能始终保证长电池寿命。 需要注意IQ 在双极拓扑中的表现。IQ 不但随负载电流变化很大，而且在压降情况下会有所增加。 另外，需要注意在数据表中对IQ 是如何规定的。某些器件是在室温条件下规定的，或者只提供显示IQ与温度关系的典型曲线。尽管这些情况有用，但是并不能保证最大的静态电流。如果IQ 比较重要，则需要选择在所有负载、温度和工艺变量情况下都能保证IQ 的器件，并且需要选择MOS类旁路器件。 输出电容器
典型LDO应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO，可以降低尺寸与成本，另外还可以完全消除这些元件。请注意，利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高PSRR、噪声以及瞬态性能。 陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的等效串联电阻 (ESR) 会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10豪欧量级，而钽电容器ESR在100豪欧量级。另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对LDO性能产生不利影响。如果温度变化不大，而且电容器和接地之间串联适当的电阻（一般<st1:chmetcnv w:st="on" UnitName="m" SourceValue="200" HasSpace="False" Negative="False" NumberType="1" TCSC="0">200m</st1:chmetcnv>），可以取代陶瓷电容器而使用钽电容器。需要咨询LDO厂商以确保正确的实施。 RF与音频应用
最后，考虑便携式应用中所采用的、专用电路的功率要求。 RF电路（包括LNA（低噪声放大器）、升压/降压转换器、混频器、PLL、VCO、IF放大器和功率放大器），需要采用具有低噪声和高PSRR的LDO。在设计现代收发系统时应非常小心，以保证低噪声和高线性。 电源噪声会增加VCO的相位噪声，而且会进入接收或发送放大器。在W-CDMA等流行手机技术对频谱再生和邻道功率提出严格要求的情况下，进入放大器的基/栅或收集器/漏极电源的极少量电源噪声就会产生邻道噪声或假信号。 <DIV medium none; PADDING-RIGHT: 0cm; BORDER-TOP: medium none; PADDING-LEFT: 0cm; PADDING-BOTTOM: 1pt; BORDER-LEFT: medium none; PADDING-TOP: 0cm; BORDER-BOTTOM: windowtext 1pt solid; mso-element: para-border-div; mso-border-bottom-alt: solid windowtext .75pt"><P medium none; PADDING-RIGHT: 0cm; BORDER-TOP: medium none; PADDING-LEFT: 0cm; PADDING-BOTTOM: 0cm; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; BORDER-LEFT: medium none; LINE-HEIGHT: 14pt; PADDING-TOP: 0cm; BORDER-BOTTOM: medium none; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan; mso-margin-top-alt: auto; mso-margin-bottom-alt: auto; mso-padding-alt: 0cm 0cm 1.0pt 0cm; mso-border-bottom-alt: solid windowtext .75pt" align=left>为了满足手机、MP3、游戏以及多媒体PDA应用等便携式设备中的音频需求，可能需要300～500mA的LDO。而且，为了获得良好的音频质量，这种LDO在音频频率（20Hz~20kHz）时应该是低噪声并可提供高PSRR</DIV>

geminic · 发表于 2006-1-24 18:14:00

为什么我总是下载不了资料啊？每回都跳回/index的目录了。
那位好心人给解决一下啊。谢谢。

joncege · 发表于 2006-1-25 17:50:00

你要什么资料啊~？

downfile · 发表于 2006-2-10 21:43:00

顶、顶

guanzi83 · 发表于 2006-5-8 23:18:00

thanks[em01][em05]

bo911 · 发表于 2006-5-16 20:32:00

好贴,顶!

Johnsonzhang · 发表于 2006-5-18 12:06:00

6楼说的好

Johnsonzhang · 发表于 2006-5-18 12:06:00

四楼也不错

konsut · 发表于 2006-7-7 11:50:00

产品包括： DC-DC升压、降压、低压差稳压LDO，低电压检测/复位，锂电保护和充电，实时时钟IC及多种专用IC。
BL1117系列（800mA通用LDO）
BL1117-18CX
BL1117-25CX
BL1117-33CX
BL1117-50CX
BL1117-ADJ
BL1117-1.8V/TO25
BL1117-3.3V/TO25
BL8503系列（300mA通用LDO）
BL8503-12PSM
BL8503-15PRM
BL8503-15PT
BL8503-18PRM
BL8503-18PSM
BL8503-21PRM
BL8503-25PSM
BL8503-25PRM
BL8503-25PT
BL8503-29
BL8503-30PRM
BL8503-30PSM
BL8503-30PT
BL8503-33PRM
BL8503-33PSM
BL8503-35PSM
BL8503-35PT
BL8503-36PT
BL8503-36PRM
BL8503-36PSM
BL8503-40PSM
BL8503-40PSM(1%精度)
BL8503-40PT
BL8503-401PT(1%精度)
BL8503-44PT
BL8503-45PRM
BL8503-50PSM
BL8503-50PRM
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