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[讨论] 如何把Flash由原来的6+2修改为7+1？

发表于 2007-12-20 17:30:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

要怎么修改呢，需要修改MemoryDevice_SinceXXX.xls文件么？具体修改那里？

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发表于 2007-12-20 20:31:22 | 显示全部楼层

如果mtk没有在memorylist中realease这颗IC，那么就需要自己去根据datasheet配置一个，其实蛮简单的，只要找个相近的，然后对照着改一下就好。所谓7+1和6+2指的是你最后一个bank的大小，由于mtk平台代码和fat不好共用，所以7+1的能放7兆代码。这个在memorylist中体现的差异就在于lastbank一个是{10000，15}
一个是{10000，31}

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楼主| 发表于 2007-12-20 20:58:55 | 显示全部楼层

mtk的memorylist中已经release过了，最后一个bank是{0x10000,32},不知道能不能修改成自己需要的？

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发表于 2007-12-21 07:32:51 | 显示全部楼层

如果flash本身是single bank的，而且你使用的是mtk提供的single bank的代码，你软件就可以根据自己的需要修改。如果flash本身就是multi bank的，那你就没法修改，因为这是芯片出产的时候就做死了的，去看一下这颗IC的规格书就知道了。

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发表于 2007-12-21 10:37:50 | 显示全部楼层

这样看最终还是工艺决定的？

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楼主| 发表于 2007-12-21 12:04:09 | 显示全部楼层

是SPANSION的FLASH，是Singe的，是不是把last bank那里修改下就可以了啊？

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发表于 2007-12-21 20:08:22 | 显示全部楼层

single的可以改，因为是逻辑分区，随便你怎么分，只要代码能放得下

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发表于 2007-12-22 11:01:19 | 显示全部楼层

4l楼的说得对

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发表于 2007-12-27 16:16:07 | 显示全部楼层

multibank也可以改的，不过需要mtk给一个esb的补丁！库都要换！

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