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[讨论] I+,和I-;Q+和Q-间加电容起什么作用

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发表于 2007-11-27 20:28:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
I+,和I-;Q+和Q-间加电容起什么作用
发表于 2007-11-28 09:34:45 | 显示全部楼层
阻抗匹配
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发表于 2007-11-28 15:13:40 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>limuran_2006</I>在2007-11-28 9:34:45的发言:</B>
阻抗匹配</DIV>


能不能具体讲讲?
我认为应该是平衡或者隔离.请教牛人
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发表于 2007-11-28 16:24:15 | 显示全部楼层
The factor for BB interface should be considerated as bellow:
the ADC clk leakage problem,
the balance between RF IQ impedence and BB ADC input impendence;
the decupling for GSM and DCS freq in the trace loop between BB and RF;
the common noise from BB should be add the resistor for that. [br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-11-29 11:07:04 | 显示全部楼层
这里是66.7kHz 信号,电容起到消除差模干扰的作用。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-11-29 23:22:33 | 显示全部楼层
........平衡或者隔离

........he balance between RF IQ impedence and BB ADC input impendence;
the decupling for GSM and DCS freq in the trace loop between BB and RF;

.......消除差模干扰

.................................................................
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发表于 2007-12-6 22:21:40 | 显示全部楼层
请问5楼,mtk平台的I、Q信号好像不是66.7KHZ吧,我看MT6225的datasheet好像是26MHZ吧
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发表于 2007-12-7 13:23:06 | 显示全部楼层
过去的接法是IQ线上各接一电容到地,主要作用是RF和BB间的去耦,抑制IQ线上的高频噪声。随着芯片性能的改善,后简化成为一对I线和一对Q线之间接一个电容,主要是抑制线上的高频共模噪声。实际使用中,电容并非是必须的,可以根据实际情况确定是否要加此电容及具体的容值。
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发表于 2007-12-9 17:29:37 | 显示全部楼层
貌似成熟点的平台上加不加都差不多.
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发表于 2009-6-24 11:24:37 | 显示全部楼层
消除差模干扰
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发表于 2009-6-24 11:45:39 | 显示全部楼层
怎么会是消除差模干扰,不是消除共模信号吗?    差模不是有用的信号吗
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发表于 2009-8-12 01:37:16 | 显示全部楼层
学习[em02][em02]
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发表于 2009-8-13 21:30:49 | 显示全部楼层
建议问这种问题前先查查 datasheet . 只要加在这地方电容的平台,都有明确的解释.
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发表于 2009-8-14 11:16:32 | 显示全部楼层
以下是引用Yanks6589在2007-12-7 13:23:06的发言:
过去的接法是IQ线上各接一电容到地,主要作用是RF和BB间的去耦,抑制IQ线上的高频噪声。随着芯片性能的改善,后简化成为一对I线和一对Q线之间接一个电容,主要是抑制线上的高频共模噪声。实际使用中,电容并非是必须的,可以根据实际情况确定是否要加此电容及具体的容值。


你的我不大理解。

IQ是低频信号,你指的高频是指多高?
如果只是大于50MHz, 这个并容的C得多大呀。这么大的电容,ADC阻抗并上这么大的电容,tuner 的IQ 输出负载load肯定吃不消,会衰减很多。
如果大于900MHz的高频噪声,好,手机的通信速率我就算它1MHz/s,所以ADC的采样速度最小2MHz, 算4MHz好了,采出来的数据再来低通滤波,所以这个高频噪声根本就不起作用不care的。

所以去高频噪声这个观点我不大支持。
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发表于 2009-8-14 15:39:58 | 显示全部楼层
kankan
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