两篇文章！

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第一篇是讲大信号GaAs建模：
张书敬1,2,杨瑞霞1,王生国2,杨克武2
1.河北工业大学信息工程学院,天津300130;
2.中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
摘　要:大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的Cold FET
测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模
型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.
第二篇是一个Ku波段20W的GaAs芯片开发实例
Ku 波段20W GaAs 功率PHEMT
钟世昌­ 　陈堂胜
(南京电子器件研究所, 南京　210016)
摘要: 报道了采用介质辅助T 型栅工艺研制的GaAs 功率PHEMT. 在该T 型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进
行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率. 采用该工艺制作了总栅宽为1912mm 的功率PHEMT. 用
两枚这种芯片合成并研制的Ku 波段内匹配功率管在1410～1415GHz 频带内,输出功率大于20W,功率增益大于

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