士兰微SVF7N65F -TO-220F N沟道 MOS场效应管
型号：SVF7N65FVDS：650V
IDS ：7A
封装: TO-220F
沟道：N沟道
SVF7N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PMW马达驱动。
特点:7A，650V，，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了 dv/dt 能力
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