关于NandFlash读取操作的问题 请各位达人进来讨论下（内有详细讲解关于NAND的读取操

zhanyi6665

我是在网上看到的一片关于SAMSUNG的K9F1208U0B的NandFlash读取操作的文章
这个NAND是有4096个block 每个block分32page 每个page是512Byte大小（不包括Spare Field)
Nand Flash的寻址：Nand Flash的地址寄存器把一个完整的Nand Flash地址分解成Column Address与Page Address 进行寻址。Column Address: 列地址。Column Address其实就是指定Page上的某个Byte，指定这个Byte其实也就是指定此页的读写起始地址。Page Address：页地址。由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。确定读写操作是在Flash上的哪个页进行的。Read1命令：当我们得到一个Nand Flash地址src_addr时，我们可以这样分解出Column Address和Page Address。
详细可以见内

我对 由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。作者说的低9位是指的page address的A9-A17吗？ 这一点没看太懂 请问有哪位看看能详细讲解下吗？

zhanyi6665

【文件名】:071023@52RD_Nandflash读取操作.doc
【格　式】:doc
【大　小】:211K
【简　介】:
【目　录】:

刚才忘记上传了

luyun

我也有同样的问题。。。。。。。。。。。。。


底9位应该是列地址吧？。。。。。。。

既然都是０，那列地址又有什么用呢？


[em10][em11][em12][em13][em13][em13]

albalb

1 2 4 8 16 32 64 128 256====a0-a8  既然是512对齐当然要A0-A8一致啊，A0-A8不一致还能相差512吗？？？

zzjloveit

低9位就是指Column Address(A0-A7,A8这个硬件处理，不需要关心)，而不是page address。其实page address完全可以理解为第几个page。