为什么p型mos管s和d之间加一个反向二极管?

heimao_lixin · 发表于 2007-9-13 10:28:31

在做项目时,用到的都是p增强型mos管,在s和d之间加一个反向二极管,请问这是为什么呢?

heimao_lixin · 发表于 2007-9-13 15:33:32

难道就没人知道了吗?

teddy · 发表于 2007-9-15 16:15:42

是与温度有关

hwj33 · 发表于 2007-9-15 20:56:59

那是阻尼二极管

yantaisgj · 发表于 2007-9-15 22:49:48

保护用，防止反向击穿

hennrycai · 发表于 2007-9-17 10:53:36

在集成电路设计里面有个ESD保护，建议楼主去看看就明白，就是防止静电击穿。你现在这样的一个用法应该就是防止高压击穿的。

kony · 发表于 2007-9-19 16:56:31

防止反向击穿

welcometoLED · 发表于 2007-9-20 17:17:52

保护mos管

everset · 发表于 2007-9-20 17:22:35

保护管

heimao_lixin · 发表于 2007-9-24 13:51:24

知道了,谢谢各位的指导!

sunleiston · 发表于 2007-9-25 14:25:35

答案还真够多的

我所知道的是，这是由mos管的工艺决定的，这个管子被称为体二极管，其实就是寄生二极管不可避免的

但是它可以被巧妙的应用

如果你实在是不喜欢，可以考虑使用结型场效应管JFET[br]+1 RD币

waynezheng · 发表于 2007-11-2 17:41:55

同意楼上的说法

rf_guru · 发表于 2007-11-2 21:22:11

11楼说的是正解.

pang_e · 发表于 2007-11-3 15:05:51

制造MOS管本身就有体二极管！！再加一个就是防止反向击穿

zhjb926 · 发表于 2007-11-5 22:03:24

肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

　　一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

　　肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

肖特基势垒二极管

肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

一、肖特基二极管原理

　　肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

[br]+1 RD币

xmcxbjh · 发表于 2007-11-6 08:19:16

努力学习中.............

summerkaka · 发表于 2007-11-23 16:34:24

是寄生二极管，不是自己加的东西，记得NEC给我们培训时是这样讲的

f86h · 发表于 2007-11-24 09:18:48

11楼的说得对，那是自身带有的寄生二极管，当源极和漏极之间的电压太大时，它被反向击穿，起到钳位保护作用！
另外N沟道的也有！

kane_zhang · 发表于 2008-8-21 16:52:48

11楼正解

nmos要求衬底电平低于源极，pmos要求衬底电平高于源极，所以一般将衬底与源极连接，而衬底是与D漏极构成二极管的，现在变成了s极与d及构成二极管

CHENCJB7541 · 发表于 2008-8-21 18:42:45

就是寄生二极管

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