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[讨论] 弱弱的问:S11参数、电压反射系数和驻波系数之间有什么关联?

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发表于 2007-8-22 17:56:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,请大家帮忙介绍一下,谢谢!
发表于 2007-8-22 19:42:37 | 显示全部楼层
找本微波技术的基础书看看吧,太基础的问题了
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 楼主| 发表于 2007-8-23 09:49:02 | 显示全部楼层
[em10]寒,楼上的不帮忙,也没必要这么显摆吧!
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发表于 2007-8-23 15:53:43 | 显示全部楼层
驻波比(SWR)
两频率相同、振幅相近的电磁波能量流(energy flows)面对面地相撞(impinge)在一起,会产生驻波(standing wave),这种电磁波的能量粒子在空间中是处于静止(stand)状态(motionless)的,此暂停运动的时间长度比两电磁波能量流动的时间要长。因为驻波的能量粒子是静止不动的,所以,没有能量流进驻波或从驻波流出来。上述叙述较抽象,但是这里举个类似的例子,就可说明什么是驻波:做个物理实验,将两个口径、流速都相同的水管,面对面相喷,在两水管之间将会激起一个上下飞奔的水柱,这个水柱就是驻波。如果是在无地心引力的空间中,这个水柱将静止在那里不会坠地。
电磁波在传输在线流动,入射波和反射波相遇时就会产生驻波。驻波比(standing wave rate;SWR)是驻波发生时最大电压和最小电压的比值(VSWR),或最大电流和最小电流的比值(公式一):
SWR = (VO + VR)/ (VO - VR) = (IO + IR)/ (IO - IR) = 1+|Γ|/ 1-|Γ|
WR可以被用来判定传输线阻抗匹配的情况:当SWR=1时,表示没有反射波存在,电磁波能量能完全传递到负载上,也就是传输线阻抗完全匹配;当SWR=∞时,表示VO = VR或IO = IR,电磁波能量完全无法传递到负载上,传输线阻抗完全不匹配。SWR测量仪是高频传输线、发射机(transmitter)、天线工程师常使用的参数,与它类似的是应用在有线电视缆线(Cable TV cable)的「返回耗损(Return Loss)」或称作dBRL。两者的差别有二:(1)dBRL=0表示阻抗完全不匹配,dBRL=∞表示阻抗完全匹配。(2)SWR测量仪是以发射机为信号来源,自己并没有发射源,但dBRL测量仪是用自己的发射源来测量缆线的阻抗匹配情况。
‧史密斯图(Smith Chart)介绍:
为了达到阻抗匹配的目的,必须使用史密斯图。此图为P. Smith于1939年在贝尔实验室发明的,直到现在,它的图形仍然被广泛地应用在分析、设计和解决传输线的所有问题上。它能将复数的负载阻抗(complex load impedance)映射(map)到复数反射系数(complex reflection coefficients)的Γ平面上,这种映射过程称作「正常化(normalization)」。如(图一)所示,大小不同的圆弧代表实数(rL)与虚数(xL)的大小,越往右边阻抗越大,越往左边阻抗越小。乍看之下,史密斯图很类似极坐标(polar coordinate),不过,它的X-Y轴坐标分别是Γr和Γi,而且Γ= |Γ|ejθr =Γr + jΓi ,r代表实数(real number),i代表虚数(image number)。在图一中,中心线为电阻值,中心线上方区域为感抗值,中心线下方区域为容抗值,直径和中心线重迭的圆代表不同的实数(rL),中心线两旁的圆弧代表不同的虚数(rL)。正常化负载阻抗(normalized load impedance)zL = ZL/Z0= 1+Γ/1-Γ,zL= rL+jxL,其实zL就是史密斯图上的复数,它没有计量单位(dimensionless),是由实数rL和虚数xL构成的。负载阻抗ZL就是由小写的zL映射到复数反射系数Γ平面上的。史密斯图的圆心代表Γ=0,zL=1,ZL= Z0,负载阻抗匹配,如(图三)所示。
将阻抗转换到Γ平面后,就能得出代表传输线匹配或不匹配的反射系数(公式二):
Γ=
ZL-Z0
ZL+Z0
 
   

图一 史密斯Z坐标图
 


图二 无耗损传输线电路
 
在上式中,Γ就是(电压)反射系数,它的定义是:反射波(reflected voltage wave)的电压振幅与入射波(incident voltage wave)的电压振幅之比值;ZL是负载阻抗(load impedance),Z0是特性阻抗(characteristic impedance)。当ZL = Z0时,达到阻抗匹配,Γ为零。如(图二)所示,假设ZL = Z0,电压源(Vg)产生的功率几乎可以完全供给负载使用,而从负载反射回电压源的功率非常小。对负载应用而言,必须设法求得特性阻抗,并使负载阻抗等于它。亦即,在图三中的Γ必须尽量在绿色区域之中。图三也称为珈玛坐标图(Gamma-centric chart),有别于图一的Z坐标图(Z- centric chart)。
 


图三 史密斯Γ坐标图
 
理想的无耗损(lossless)传输线是依据下列公式来转换负载阻抗ZL(公式三):
Z = Z0
ZL cos(l 2/) + j Z0 sin(l 2/)
Z0 cos(l 2/) + j ZL sin(l 2/)
在上式中,l是无耗损传输线的长度,l 2/是此传输线长度与波长相比的角度值(radian)。从上式和图二中,可以得出下列重要的结论:
(1)如果ZL = Z0,则无论传输线的长度大小为何,输入端阻抗Z或Zin永远等于特性阻抗Z0。
(2)Z是以/2为单位做周期变化。
(3)正常化输入阻抗(normalized input impedance)zin=Zin/Z0= 1+Γl/1-Γl,其中,Γl 的振幅与电压反射系数Γ的振幅一样,但是相角差2βl(β=2π/λ),l是传输线长度。所以,Γl被称为「相移电压反射系数(phase-shifted voltage reflection coefficient)」,而且Γl =Γe-j2βl。因此,如果Γ转换成(transform)Γl,zL就被转换为zin了,在史密斯图上的反射系数角位(angle of reflection coefficient in degrees)是以顺时钟方向,随传输线长度l由0最大增加到0.5λ,这个方向上的刻度称为「波长朝产生器(wavelengths toward generator;WTG)」方向的刻度,有别于逆时钟方向的「波长朝负载(wavelengths toward load;WTL)」方向的刻度。
(4)在史密斯图的圆心处划一个圆,它将和实数轴与虚数轴相交于数个点,每个点与圆心的距离相等,这个圆称作「常数|Γ|圆」;也叫作「驻波率(standing-wave ratio;SWR)圆」,这是因为驻波率S=1+|Γ|/ 1-|Γ|。
如果今天已知传输线长度l和zL,利用史密斯图,就可以很快地求出zin。
(5)纯电阻窄频匹配(resistive narrowband match)时,驻波率刚好等于rL和驻波率圆相交的右边接点Pmax。虽然rL和驻波率圆相交的接点有两个Pmax和Pmin,但是左边接点Pmin的rL值小于1,而且驻波率必须大于或等于1,所以Pmin不予考虑。藉由史密斯图和已知的负载阻抗,就可以很快地求得在传输在线最大电压或最小电流、最小电压或最大电流的位置。
上述功能,说明了利用史密斯图就能得到负载的复数阻抗之匹配值。


阻抗(impedance)和导纳(admittance)的转换
在解决某些类型的传输线问题时,为求方便起见都使用导纳来表示。导纳是阻抗的倒数,其数学定义是:Y=1/Z=G+jB,G称作电导(conductance),B称作电纳。正常化导纳y是正常化阻抗z的倒数,所以y=1-Γ/1+Γ。如果在史密斯图上顺时钟移转λ /4(互成反方向),zL将转换成zL。虽然,Y参数(=[Y][V])的导纳和Z参数([V]=[Z])的阻抗,都只能代表低频电路的特性,但是与代表高频电路特性的S参数([V-]=[S][V+])类似的Y参数是由四种导纳变数构成的,藉由Y参数(一般是从所测量的S参数转换而来)可以得到晶体管闸阻抗之值,这在深次微米设计中是非常重要的。S参数是被用来表示射频微波多端口网络(multiple network)中多电波的电路特性。
■史密斯图应用范例
应用上述原理和方法,将一般的50-Ω无耗损传输线之一端接有负载阻抗ZL =(25+j50)Ω,使用史密斯图可以得到:
(1)电压反射系数:zL= ZL/Z0=(25+j50)/50=0.5+j1,从史密斯图中可以查出反射系数的相角为83°,用尺可以量得反射系数的振幅为0.62;所以,电压反射系数Γ= 0.62ej83°。
(2)电压驻波比(SWR):使用圆规在史密斯图上,以Γ=0为圆心,划一个圆(驻波率圆)通过0.62ej83°,这个圆和Γr相交在两点,其中一点的rL值大于1,为4.26,亦即电压驻波比S=4.26。
(3)距负载最近的最大电压与最小电压的位置:最大电压在驻波率圆和Γr相交的点上,查史密斯图,此点的位置是0.25λ,负载的位置是0.135λ,所以它和负载的距离是lmax=0.25λ-0.135λ=0.115λ;最小电压和最大电压的距离差0.25λ,所以它和负载的距离是lmin=0.115λ+0.25λ=0.365λ。
(4)若此传输线长度为3.3λ,可求出其输入阻抗和输入导纳:3.3λ除以0.5λ后剩余0.3λ,从负载阻抗在史密斯图上的位置顺时钟移动(WTG)0.3λ,就是输入阻抗的位置。因此,输入阻抗的位置是在0.135λ+0.3λ=0.435λ直线上,它与驻波率圆相交于一点,查史密斯图,此点即是正常化输入阻抗zin=0.28-j0.4,经转换可求得输入阻抗Z in=zinZ0=(0.28-j0.4)*50=(14-j20)Ω;从zin顺时钟移动0.25λ并与驻波率圆相交于一点,可以得到正常化输入导纳yin=1.15+j1.7,经转换可求得输入导纳Yin=yinY0=yin/ Z0=(1.15+j1.7)/50=(0.023+j0.034)S(全名为Siemens,是导纳的基本计量单位)。
‧使用史密斯图反求负载阻抗
假设:只知道一条50Ω无耗损传输线的驻波比S=3,距负载最近的最小电压位置是5cm,其次是20cm,试求负载阻抗。
解决方法:因为最小电压的间距为λ / 2,所以,λ = 40cm。距负载最近的最小电压在史密斯图上的位置就是5/40=0.125λ。在史密斯图上划驻波率圆,半径为3,此圆与Γr相交于两点,rL值小于1的点就是距负载最近的最小电压,在驻波率圆上,从此点逆时钟移动0.125λ,可以得到负载的正常化阻抗zL=0.6 - j0.8。经转换后,就可得出负载阻抗ZL=Z0*zL=(30 - j40)Ω。

[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2007-8-23 17:24:48 | 显示全部楼层
多谢kinpoagilent!
最关键的S11与SWR的关系任存有疑问,有请热心人帮忙解答。[em01]
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发表于 2007-8-23 17:46:21 | 显示全部楼层
因为驻波比=1+反射系数/1-反射系数

我感觉楼主是不是想了解反射系数和s11之间的关系和区别啊? 我理解当s12=0时,s11就是反射系数,不知道理解的对不对
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发表于 2007-8-23 18:26:08 | 显示全部楼层
我是这样理解的

s11的测量方法是当输出端口特性阻抗为Z0的传输线处于匹配状态时,s11=输入反射系数(GAMMA   in=(Zin-Z0)/(Zin+Z0)).参考射频电路设计---理论与应用P113

此处的S11是用归一化电压波来表示的,至于是不是电压反射系数,我还是不太清楚
楼上说S12=0.我个人觉得不对,此时(输出匹配)只是输出反射电压波为零

请教了[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-8-24 09:47:16 | 显示全部楼层
s11的定义是,一个N端口网络,其他端口处于匹配状态时,1端口的电压反射系数,
电压发射系数是通用的概念,即反射波比上入射波,
驻波比于发射系数之间有转换公式,楼上的已经说了,SWR是驻波比,VSWR是电压驻波比,我们通常使用电压驻波比,而电流驻波比是其倒数。
6楼的说S12=0时,s11就是反射系数,指的是一个二端口网络吧?这时b1=s11*a1,自然s11等于反射系数,关于s参数与输入反射系数,输出反射系数,很多书上都有完整的公式。

建议楼主看一些微波技术的基础书,比如《微波技术》,东南大学的。《微波技术基础》西安电子科大的,等等,还可以看看微波网络方面的书。楼主,我没有显摆啥,这确实是比较基础而且很多地方有资料可询的问题,我认为看书要比我三言两语解释得要清楚得多[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-8-24 09:48:30 | 显示全部楼层
S11是不是反射系数跟S12没什么关系吧.二端口网络S12=0,那S11=1啊.不传输就反射么

反射系数怎么定义的??   V-/V+

S11怎么定义的??    V1-/V1+


应该就是1端口的反射系数吧....

也不知道理解的对不对/....
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发表于 2007-8-24 09:54:45 | 显示全部楼层
哦对了  前提条件应该是其他端口匹配时候1端口的反射系数....
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发表于 2007-8-24 09:59:23 | 显示全部楼层
不一定是1,如果是1,则等效于输入面短路或开路。
以2端口网络为例,即使2端匹配,但从输入面来看,经过网络后,输入阻抗可以是任意值得,所以s11也可以是任意值
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发表于 2007-8-24 10:00:31 | 显示全部楼层
补充:第一句话不严谨,在其他端口匹配得条件下
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发表于 2007-8-24 10:24:06 | 显示全部楼层
最简单的一个例子,理想隔离器的s参数
s11=0,s12=0,s21=1,s22=0
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发表于 2007-8-24 10:41:39 | 显示全部楼层
啊   对不起  我说的应该是无耗网络    S11+S12=1的那种 ...不好意思 老是有遗漏[em07]
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发表于 2007-8-24 10:56:21 | 显示全部楼层
应该是|S11|   |S12|平方和,1i
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 楼主| 发表于 2007-8-24 13:08:52 | 显示全部楼层
我认为各位的答案都有进一步的考虑,不管你电路是如何匹配,都会有反射系数,只是有大小之分而已。
我提这个问题本意是:S11反应的是能量的反射系数,而电压反射系数只是反应电压或电流反射规律。这两者之间肯定有必然的联系,尽管在某些特殊情况下,电压反射系数可能等于S11,但绝对不是一个概念。
欢迎批评指正,谢谢![br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-8-24 15:26:04 | 显示全部楼层
电压反射系数仅仅指电压,顾名思意,如果是电流,那叫电流反射系数。
实际上,确实无论如何匹配都有反射系数,这是又现实不理想条件决定的。但理想上,最简单的,50ohm同轴接一个50ohm电阻,那反射系数就是0。
楼主,s11 当然与反射系数是不能划等号的,我依然建议你去找一本书,从基础看起,那样会理解的比较清晰些
给出你一个公式gamma(in)=s11+(s12*s21*gammaL)/(1-s22gammaL)
希望能帮助你理解[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-8-24 15:26:48 | 显示全部楼层
S参数是在匹配负载的情况下定义的   能量和电压只有平方的关系啊.
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发表于 2007-8-24 15:47:44 | 显示全部楼层
理论上,当接匹配负载的时候Sii肯定就是i端口的反射系数,这在书上写的很明确.

如果接的不是匹配负载  讨论S11就没什么意义了...那要具体问题具体分析啊,求出Zin再用最基本的反射系数公式求出来.

还有楼上的那个公式,弱弱的问句,gamma(in)是输入端反射系数??gammaL是什么啊???
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发表于 2007-8-24 16:21:21 | 显示全部楼层
负载反射系数
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