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[讨论] 问一个弱弱的模电基础问题!

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发表于 2007-5-11 15:51:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS场效应管的输入阻抗高,为什么就容易被击穿呢
发表于 2007-5-11 20:27:26 | 显示全部楼层
Rds(on)很小,一般只有几十mohm
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发表于 2007-5-11 21:26:19 | 显示全部楼层
输入阻抗大就意味着,对于任何一个很小的输入就可能感应出一个较大的电压值,这样也就容易击穿了.
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发表于 2007-5-12 11:13:43 | 显示全部楼层
由于绝缘电阻非常高,栅极上的电荷很难漏掉。同时因电容量非常小,由此少量的电荷就能产生很大的电压。这样只要有少量的电荷跑到栅极上或者外界感应都可能产生很高的电压而引起氧化膜的击穿,一旦发生这种击穿,MOS场效应管就烧毁了。
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发表于 2007-5-13 08:05:08 | 显示全部楼层
从能量(或功率)的角度也比较容易理解这个问题。对于高阻抗输入的器件,只需要很小很小的能量(或功率)就足以产生导致器件高压击穿的后果;而对于低阻抗的器件则需要很高的能量(或功率)才可能发生相同的结果,这当然前者的几率要远远比后者出现的几率要高得多,换句话来说,高阻抗的器件的击穿所需要的功率远比低阻抗器件的功率要小得多。这就是为何高阻抗器件比较容易击穿的原因所在了。
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发表于 2007-5-13 12:22:57 | 显示全部楼层
你只要想想0欧电阻能被击穿吗??
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发表于 2007-5-14 09:55:04 | 显示全部楼层
呵。还一直未想过这个问题。今天一听到各位的高见。恍然大悟。
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发表于 2007-6-6 14:29:51 | 显示全部楼层
这个论坛真是太好了,学了不小东西呢
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发表于 2007-6-6 16:31:47 | 显示全部楼层
Reducing the oscillator amplitude is a frequently used approach for e.g. reducing interference. The circuit (figure
5) is based on the “Recommendations to reduce the interference of 558 oscillator” (see References). This circuit
generates an (almost) sine wave shape signal on the Xtal2 pin.This is achieved by using asymmetrical capacitors,
and using the largest capacitor on the INPUT, (XTAL1). In this situation the voltage on XTAL1 is decreased.
The input voltage for the amplifier stage is lower so the stage will not go into saturation and therefore produce a
signal with much less harmonics.
A customer modified the circuit of figure 5. to the circuit of figure 6.
Apparently the loop gain was changed by swapping the two capacitors and then compensated the by shunting a
resistor to the X-tal. This circuit also works, but generates an output signal with more distortion. Increasing the
output capacitor will result in more current through the output XTAL2.[upload=gif]UploadFile/2007-6/0766@52RD_2.gif[/upload]

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发表于 2007-6-11 18:58:57 | 显示全部楼层
学到了很多。谢谢!
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发表于 2007-6-19 16:11:58 | 显示全部楼层
斑竹的解答是完全正确的,解决办法我说一下,用一个1M欧姆的电阻从珊极接地.MOS是最容易受静电损坏的,所以用的时候要特别小心,有时候天气干燥,我用手一动就完蛋了,呵呵[em12]
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发表于 2007-6-27 22:40:14 | 显示全部楼层
宏观理解:
版主解释正解:“由于绝缘电阻非常高,栅极上的电荷很难漏掉。同时因电容量非常小,由此少量的电荷就能产生很大的电压。这样只要有少量的电荷跑到栅极上或者外界感应都可能产生很高的电压而引起氧化膜的击穿,一旦发生这种击穿,MOS场效应管就烧毁了。“
微观解释:
MOS管的栅极是一层很薄的栅氧化层,很容易静电等击穿。

楼上说:栅极串连1M的电阻的应用很不好。楼上接1M电阻主要作用只是可以把器件上积累的电荷泻放,真正发生ESD(如手接触到器件),1M欧姆的电阻反而其负作用了。MOS管静电等级较低(很多就是300V左右),关键是生产以及研发进行ESD进行控制。
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发表于 2007-7-1 14:08:03 | 显示全部楼层
ti, 说的有道理,顶一下啦!
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发表于 2007-7-2 01:09:53 | 显示全部楼层
此外,对CMOS电路操作过程中,必须做足防静电措施!。。。。
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发表于 2007-7-2 01:12:02 | 显示全部楼层
这么多模电的高手!!
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