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[讨论] 请教比较奇怪的晶振应用

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发表于 2007-4-9 15:35:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2007-4/0749@52RD_212.JPG[/upload]
看过很多晶振应用电路,但是请教此图中的电阻R79是做何用的?

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发表于 2007-4-9 16:04:13 | 显示全部楼层
我也第一次看到,仔细看看晶振的SPEC,可能是要求加的
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发表于 2007-4-9 19:53:38 | 显示全部楼层
其实就是为了减小晶体的振荡幅度,目的是为了过EMC。

当然不排除其它的可能
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 楼主| 发表于 2007-4-9 20:09:15 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>6123456</I>在2007-4-9 19:53:38的发言:</B>
其实就是为了减小晶体的振荡幅度,目的是为了过EMC。

当然不排除其它的可能</DIV>


此功能我想过,可是要是为了限幅度的话,那R80岂不是更好?
晶振spec是没有写出的,但是在主芯片关于晶振需求上是说为了达到更稳定的效果,可以加上这一颗电阻的
个人问题就是啥更稳定的效果?
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发表于 2007-4-10 09:32:40 | 显示全部楼层
主要作用是降低振幅。
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发表于 2007-4-10 09:54:19 | 显示全部楼层
降低振幅,阻尼做用,很多电路上都会加这个电阻的
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发表于 2007-4-10 11:14:15 | 显示全部楼层
降幅,保持稳定的
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 楼主| 发表于 2007-4-10 13:13:39 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>Alanro</I>在2007-4-10 11:14:15的发言:</B>
降幅,保持稳定的</DIV>

还是那个问题啊,降幅为啥不串进去呢?比如说是R80
保持稳定,具体原理是?怎么选电阻的值啊?
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发表于 2007-4-10 15:53:52 | 显示全部楼层
我见过有这方面的解释,当晶振不起作用时或振动不够时,那个电阻和两个电容能起到相当于晶振的作用,不过那个电阻通常都是1M以上的,这个显然小多了
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发表于 2007-4-10 21:44:37 | 显示全部楼层
主要作用是降低振幅,目的是为了过EMC,还有些是IC的要求,不过是不是搞错参数拉,通常这个电阻都是1M以上的,现在是4。7K有可能都起振不了。
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发表于 2007-4-11 01:23:17 | 显示全部楼层
降低晶振的Q值,稳定晶振工作状态。
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发表于 2007-4-11 13:47:11 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>yougaohui</I>在2007-4-10 21:44:37的发言:</B>
主要作用是降低振幅,目的是为了过EMC,还有些是IC的要求,不过是不是搞错参数拉,通常这个电阻都是1M以上的,现在是4。7K有可能都起振不了。</DIV>


正解!:)
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发表于 2007-4-11 16:39:49 | 显示全部楼层
主要作用是降低振幅,目的是为了过EMC。
估计取4.7K是IC要求的,象STC89C51的数据手册就要求R79取15K-6.8K
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发表于 2007-4-11 16:47:30 | 显示全部楼层
R79是否该接在XTAL11和XTAL21两端?


if so, please refer to some comments from some specs:

Rf(r79): This feedback resistor is vital to assure proper biasing of the oscillation. it tends to keep the input to the NAND gate(IC内部电路,简化成一个与非门)  biased around supply voltage divided by two. No oscillation will happen without it. Although most of ICs have their own internal Rf, adding an external one may be necessary.
         Rf must be sized to allow adequate feedback while not unduly loading the circuit.The microcontroller manufacturer normally suggests a range of acceptable values, usually between 100Kohm and 22Mohm. For low frequency, the crystal impedance is relatively high and the value for Rf must also be high (10Mohm for 32KHz). For higher frequencies, Rf must be lower(100Kohm for 10-20MHz)
         

Rd(r80): The value of Rd is preliminarily used to control the drive level to the crystal unit below the maximum drive level recommended for that crystal.
   If the IC’s amplifier generates higher negative resistance, Rd may be also used to reduce the effect of this negative resistance. The negative resistance margin is the difference between the amplifier’s max negative resistance and Rd. If the negative resistance from the IC is not high, Rd is not recommended.








[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>
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发表于 2007-4-13 08:48:13 | 显示全部楼层
这个好像是说虽然晶振似乎是个可靠的震荡器,但实际中因为电压波动,温度的关系,它的频率会随着这个变化,它不是一个线形器件,特别是在震荡初期。R80和R79都是用来稳定其工作的,这个用一句话来说明就好:匹配抗载,达到最佳震荡条件,减少偏差量。
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发表于 2007-4-16 14:27:39 | 显示全部楼层
R79的确1M以上
我看了我们的电路图,有这样应用的
没去注意过这个,也算收获知识了
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 楼主| 发表于 2007-4-16 17:56:39 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>debowe</I>在2007-4-11 13:47:11的发言:</B>



正解!:)</DIV>

这是本公司的一个成熟的产品上的电路,产品国内外都有销售,所以在性能上是没的说的~并且实际测试也很理想
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 楼主| 发表于 2007-4-16 18:11:22 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>changedai</I>在2007-4-11 16:47:30的发言:</B>
R79是否该接在XTAL11和XTAL21两端?


if so, please refer to some comments from some specs:

Rf(r79): This feedback resistor is vital to assure proper biasing of the oscillation. it tends to keep the input to the NAND gate(IC内部电路,简化成一个与非门)  biased around supply voltage divided by two. No oscillation will happen without it. Although most of ICs have their own internal Rf, adding an external one may be necessary.
         Rf must be sized to allow adequate feedback while not unduly loading the circuit.The microcontroller manufacturer normally suggests a range of acceptable values, usually between 100Kohm and 22Mohm. For low frequency, the crystal impedance is relatively high and the value for Rf must also be high (10Mohm for 32KHz). For higher frequencies, Rf must be lower(100Kohm for 10-20MHz)
         

Rd(r80): The value of Rd is preliminarily used to control the drive level to the crystal unit below the maximum drive level recommended for that crystal.
   If the IC’s amplifier generates higher negative resistance, Rd may be also used to reduce the effect of this negative resistance. The negative resistance margin is the difference between the amplifier’s max negative resistance and Rd. If the negative resistance from the IC is not high, Rd is not recommended.











<P align=right><FONT color=red>+5 RD币</FONT></P></DIV>

如果真的作为feedback来看的话,那么去掉此电阻呢?我实验了一下,去掉后,波形上无明显变化, IC datasheet 上写的是:The series resistor is needed to solve Overcurrents in the crystal. The parallel resistor is
used to enable the switching. In normal cases, this resistor is not used; however, it is
recommended to layout the resistor for future use but do not mount it.
所以串的 R80作用很明显,但是并的那颗似乎不太好理解其原理,可能需要些经验来讲解,大家根据此描述互相发表下看法~
最后,可能很多朋友会想,既然datasheet上是这么说的,那就这么用不可?我想说,既然我们做不了世界级的芯片,那么我们唯一能做的就是从世界级的芯片开始学起,希望我能感染更多热爱电子的朋友,为中国的电子工程师加油~
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发表于 2007-4-16 18:36:33 | 显示全部楼层
我也觉得是为了pass emc做的
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发表于 2007-4-17 14:35:29 | 显示全部楼层
R70应该并在R80之后,这个电阻的作用是作为反相器的负反馈电阻(因为IC内部的晶体驱动电路是个反相器),将反相器设定在中间补偿区附近,使反相器工作在高增益线型区。这个电阻的一般都比较大,同时随便率增加而减少。另外,有些IC 内部已经有了 这个电阻,所以就不需要外加了。
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