50 ohm走线的问题

n008

在两个50 ohm端口中间如果走线不是50 ohm（假设100 ohm）会带来多大影响。是不是如果走线不长影响并不大？请帮忙解答一下。谢谢!

babyface

影響部份可利用網路分析儀在S21 or S12作為量測依據
所量測出的結果即為此段傳輸線之損耗
理想傳輸線若系統操作在50 ohm情況下
則應該為無損耗狀態
越偏離系統阻抗則損耗越大
[em14]

xbtxbt

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>n008</I>在2006-12-4 10:48:15的发言：</B>
在两个50 ohm端口中间如果走线不是50 ohm（假设100 ohm）会带来多大影响。是不是如果走线不长影响并不大？请帮忙解答一下。谢谢!</DIV>



用smith圆图分析，50欧姆线就是饶50欧姆圆心转圈，不会改善你的匹配状况也不会恶化。如果你的线不是50欧姆的，譬如100欧姆的，那就是围绕100欧姆转圈，转多少弧度就看100欧姆线的电长度了，运气好还会改善匹配，但是整体考虑起来就是失控。除非是设计的时候通过仿真确定了用多长的非标准特性阻抗传输线，否则尽量用标准的，实在不行就尽量缩短，以减小恶化程度。

jensen_g

这与激励信号的波长（频率）有关

kingder

不太赞同三楼的回答。楼主所谓的50Ohm和100Ohm应当是指微带线的特性阻抗吧，即两个特性阻抗为50Ohm的系统通过特性阻抗50OHm的微带线相连时，只是相位上的变换，从Smith圆图中看S21就是沿Smith圆图的边界圆顺时针移动，当然如果考虑微带线的损耗可能会逐渐往中心略为偏移，S11位于Smith圆图中心；如果微带线特性阻抗是100Ohm，则S11是在圆图上50Ohm与100Ohm的阻抗之间的圆，同样是随着线长延长而做顺时针移动，且经过以上两个纯阻抗点。至于S21，只有在开路和短路点会在圆图边界，其余都将向圆图中心靠拢。类似椭圆，可以由传输线理论推导其方程。

xbtxbt

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>kingder</I>在2006-12-7 15:07:00的发言：</B>
不太赞同三楼的回答。楼主所谓的50Ohm和100Ohm应当是指微带线的特性阻抗吧，即两个特性阻抗为50Ohm的系统通过特性阻抗50OHm的微带线相连时，只是相位上的变换，从Smith圆图中看S21就是沿Smith圆图的边界圆顺时针移动，当然如果考虑微带线的损耗可能会逐渐往中心略为偏移，S11位于Smith圆图中心；如果微带线特性阻抗是100Ohm，则S11是在圆图上50Ohm与100Ohm的阻抗之间的圆，同样是随着线长延长而做顺时针移动，且经过以上两个纯阻抗点。至于S21，只有在开路和短路点会在圆图边界，其余都将向圆图中心靠拢。类似椭圆，可以由传输线理论推导其方程。</DIV>


恩，是我说开了，离题了！

criterion

以下是引用babyface在2006-12-4 11:03:35的发言：
影響部份可利用網路分析儀在S21 or S12作為量測依據
所量測出的結果即為此段傳輸線之損耗
理想傳輸線若系統操作在50 ohm情況下
則應該為無損耗狀態
越偏離系統阻抗則損耗越大
[em14]

这不对吧
首先我们要分清楚Loss来源
Mismatch Loss跟 Insertion Loss

Mismatch Loss就是S11, S22
Insertion Loss就是S12, S21

理想传输线若系统操作在50 ohm情况下
则应该为无损耗状态
越偏离系统阻抗则损耗越大

这是对的   但是这是指Mismatch Loss
也就是你即便Smith Chart   S11, S22弄到50奥姆
顶多是Mismatch Loss为零
但不代表Insertion Loss为零


你只要有Trace   就会有阻值    也就是Insertion Loss


另外   Matching组件   不但会影响Mismatch Loss   也会影响Insertion Loss
因此可以靠Matching组件   来改善Insertion Loss   但是不可能为零
这么说吧
就算Trace的阻抗控制   做得极好   不需加Matching组件   就能50奥姆
但这顶多是Mismatch Loss为零    Insertion Loss不可能为零
因为有Trace   就有Insertion Loss