|
发表于 2006-10-11 00:57:00
|
显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>black</I>在2006-9-15 16:25:00的发言:</B>
多谢!
但我仔细看了Ti的TPS65010的应用电路,我认为如果不切换,手机工作所需的电流和电池充电的电流混在一起,充电芯片怎么区分哟?而且充电芯片在恒流充电时,其充电芯片提供电流很少,手机也工作不起来呀?
</DIV>
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>black</I>在2006-9-15 16:25:00的发言:</B>
多谢!
但我仔细看了Ti的TPS65010的应用电路,我认为如果不切换,手机工作所需的电流和电池充电的电流混在一起,充电芯片怎么区分哟?而且充电芯片在恒流充电时,其充电芯片提供电流很少,手机也工作不起来呀?
</DIV>
关于此部分,我有如下总结,现公之于众
(1).基本电路,Vchrg通过充电电路至Vbat,系统PMU输入由Vbat进来
优点:从Vchrg到Vbat到PMU输入只一条路径,系统电源路径清晰,电池利用率高,电路简洁。
缺点:在充电的情况下,当电池电量低的时候,可能存在开机后系统电力不足又自动关机的现象。因为从Vchrg到Vbat到PMU的路径是单一的,当充电情况下,系统的电流也一样受到BAT输出的制约。另外在不加电池的情况下可能开机不能(这个需要在电池端并电解电容来解决)
总结:此电路几乎就是所有手机平台推荐的电路,是经得起量产验证的。虽然有挑剔的使用者发现充电时候的不人性化(充电的时候使用的话会加大充电时间甚至表面上看似充不进),但是改进的话只会更糟糕(具体见下)
(2).Vchrg另外连至PMU输入,用双路二极管隔离Vchrg与Vbat.
优点:可以在Vchrg充电的同时又开机。当Vchrg >Vbat时,Vcarg既给Vbat充电,同时又给PMU做输入;当Vchrg < Vbat时,由Vbat做PMU输入。由于是双路二极管隔离,充电系统与电源下变系统其实是并联的,不存在开机时候充电电流不足而自动关机的现象。
缺点:由于在Vbat到PMU的路径中串入一个二极管,存在大约0.4~0.5V的压降,造成手机电池利用率的降低:PMU实际至少需要3.0V的输入电压才能使内部LDO输出2.8V稳定;加上0.4V的修正,则电池在3.4V的时候PMU已无能为力。这样的话,电池利用率为电路1时候的(4.2-3.4)/(4.3-3.0)=61.6%,则理论上待机时间降低为电路(1)的61.6%.另外电池校准可能不是很准。
总结:虽然此电路逻辑功能很好,但是在手持系统电池容量紧张的情况下非常不适合。(1)的优点正好是(2)的缺点,(1)的缺点也正好是(2)的优点。此电路的初衷是为了改进(1)的某些“使用上的不人性化”,但是显然得不偿失!!
(3).用1个二极管与一个P-MOS隔离Vchrg与Vbat。P-MOS G极下拉地永远有效,实际上把它当作一个超低压降的二极管使用。(2)的改进版。
优点:同(2)
缺点:同(2),但是由于电池通路用了P-MOS,压降损失捎好于(2)
总评:相对于(2)改进不大,而且似乎实际上根本就不可逾越。也就只能提高约10%的电池使用率。
(4)见到某设计电路用2个MOS,来切换Vchrg与Vbat
优点:同(2),(3)
缺点:比(2),(3)更多。其一,Vchrg过来中间没必要使用MOS,因为通常是5V充电,节约压降无作用,二极管足矣!其二,用ARM GPIO控制MOS导通,这个BUG很大,首先要电池有电的情况下开机,然后检测到Vchrg有高电平,然后再打开MOS切到Vchrg,这个过程中要首先满足Vbat开机引导这个必要条件,一旦电池电量低到不足以维持开机,则(1)的缺点又回来了,好笑么?这个电路正是此BUG集大成者!!
总评:简直垃圾设计,该改进的优点结果都是缺点
=========================================================================
这个电池充电的配置思路,是手机平台电源切换设计的成长过程。有的人只经历了1,有些人到了2则回归于1,另外少部分人经历了1、2、3又归于1。但是4,应该只是经历了1后才出现的,设计4的人可能都没经历过2,3,而经历过2,3的又很好笑4,基本不会去这样设计。
不过,手机业玩的人越来越多,这上面跌交的也越来越多,关于此部分,要么什么都不考虑照抄平台,否则都会有误入陷阱的危险[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p> |
|