MTK方案上换一块flash大概需要修改那些参数？请教高手

windeson · 发表于 2006-7-26 17:01:00

xswdodo · 发表于 2006-7-27 04:27:00

先看是不是PIN 2 PIN兼容和指令集是否相同。都一样的话改一改读写时序的差异和ID号就差不多了吧

请高手补充

tritium · 发表于 2006-7-27 09:52:00

Nand Flash还是Nor Flash?

windeson · 发表于 2006-7-27 11:04:00

其实nand flash和nor flash我都没有搞清楚，我看有的就没有nor flash,有的有。原来我以为flash只需要按照对应的接口接上去，然后硬件会自动到falsh去读写。现在真的是糊涂了。

tritium · 发表于 2006-7-27 15:12:00

开玩笑，mtk平台没有nor flash这机器还能开机么？你的程序烧在哪里？

windeson · 发表于 2006-7-27 15:18:00

哦，说错了，是有的有nand flash有的没有？

jsjjms · 发表于 2006-7-27 19:14:00

to: tritium

现在有的厂家为了节省成本,已经研究从nandflash开机了.

norflash还是比较贵的。

bingqin · 发表于 2006-7-28 01:43:00

MT6228就可以不用nor flash，但是他要nand和SDRAM，这样成本可以降低，速度提高，程序放在nand那里

tritium · 发表于 2006-7-28 09:42:00

是的，mtk在6228上的确支持了。不过还没有大规模量产。

nickyni · 发表于 2006-7-29 00:52:00

6228支持Nand Boot，可以不用Nor Flash，只需要Nand Flash

lszxj · 发表于 2006-8-1 15:00:00

但是6228的nand还有sdram的确要求太大！一般是512nand+256sdram差不多10usd呢！太贵了

DAVIDQIAN · 发表于 2006-8-1 16:33:00

6228已经开始量产,

christ28 · 发表于 2006-8-2 10:13:00

请问6228支不支持NOR+SRAM?
NAND+SDRAM 512+256真的好贵,如果做中端手机,128+64/256+64的NOR大概只要USD6-7.

mlwang · 发表于 2006-8-4 13:09:00

128+64/256+64的NOR大概只要USD5 以下

Garyren11 · 发表于 2006-8-8 11:31:00

６２２８已经在量产了．

jefffelixQQ · 发表于 2006-11-6 16:09:00

如果PIN to PIN兼容，并且指令集兼容，除了楼上有人提到的时序和ID之外，还要考虑以下几点：
对于NOR：
1. 单BANK还是多BANK，影响到XIP的软件实现。单BANK的XIP要采用ERASE SUSPEND/RESUME机制来实现在FLASH 擦除过程中对系统中断的响应
2. 扇区(Sector)大小的划分是否有区别。有些上层软件对FLASH的操作寻址时可能有依赖于扇区Index和扇区大小的计算。如果换的FLASH扇区大小的定义不一样，要检查上层软件有否对此的依赖
对于NAND，要考虑：
1. Large Page or Small Page
2. Erase Block size

jefffelixQQ · 发表于 2006-11-6 16:23:00

Chipset支持NAND + SDRAM是为了给终端客户提供更多的选择，但是NAND+SDRAM除了价格上可能略有优势(也未必，因为这种组合要求更大的RAM。本人不做市场，所以对价格不了解),在其他方面NOR+pSRAM还是有优势的。
1. NOR+pSRAM 支持XIP，系统的性能会有优势，尤其是手机开机时间，NOR+pSRAM比NAND+SDRAM要快很多
2. NAND+SDRAM因为运行在Shadow模式，需要更大的RAM支持，耗电要比NOR+pSRAM组合大
个人认为最佳的组合为NOR+pSRAM+NAND，可以有效的利用NOR和NAND各自的优势。比如，代码存放于小容量的NOR，可以发挥NOR XIP高性能的优势，不需要大的RAM来做Shadow，又可以用NAND来存数据，以发挥NAND 大容量和比特价钱便宜的优势。

lianxun88 · 发表于 2007-4-7 12:13:00

不错![/COLOR]

solarsonic · 发表于 2007-4-13 11:40:00

补充一点个人意见,见解不深请海涵:
如果PIN to PIN兼容，并且指令集兼容，除了楼上有人提到的时序和ID之外，还要考虑以下几点：[52RD.com]
对于NOR：[52RD.com]
1. 单BANK还是多BANK，影响到XIP的软件实现。单BANK的XIP要采用ERASE SUSPEND/RESUME机制来实现在FLASH 擦除过程中对系统中断的响应[52RD.com]
多bank也是有区别的: 多bank一般是用RWW(Read while write)机制来实现中断.但是这也会有隐性问题,因为一个bank读的同时,另外的bank可以写/擦. 拿64Mb的Nor来说吧,如果是四bank的,1MB+3MB+3MB+1MB,那么一般会划分为
7MB+1MB,前三个bank存code和资源,后一个bank做文件系统.但是如果你换的是双bank呢,2个bank是2MB+6MB的呢,那么只能2MB做文件系统,6MB存code和资源.那么考虑一下,如果你原来的code+资源size大于6MB,会不会出问题呢?
2. 扇区(Sector)大小的划分是否有区别。有些上层软件对FLASH的操作寻址时可能有依赖于扇区Index和扇区大小的计算。如果换的FLASH扇区大小的定义不一样，要检查上层软件有否对此的依赖[52RD.com]
对于NAND，要考虑：[52RD.com]
1. Large Page or Small Page[52RD.com] Large page和small page不光page/block size有变化,读的命令也有一点小变化呦,详细请对比2者datasheet中command table.
2. Erase Block size[/COLOR]

solarsonic · 发表于 2007-4-13 11:55:00

补充一点看法,见解不深请海涵:
Chipset支持NAND + SDRAM是为了给终端客户提供更多的选择，但是NAND+SDRAM除了价格上可能略有优势(也未必，因为这种组合要求更大的RAM。本人不做市场，所以对价格不了解),在其他方面NOR+pSRAM还是有优势的。
1. NOR+pSRAM 支持XIP，系统的性能会有优势，尤其是手机开机时间，NOR+pSRAM比NAND+SDRAM要快很多
2. NAND+SDRAM因为运行在Shadow模式，需要更大的RAM支持，耗电要比NOR+pSRAM组合大
个人认为最佳的组合为NOR+pSRAM+NAND，可以有效的利用NOR和NAND各自的优势。比如，代码存放于小容量的NOR，可以发挥NOR XIP高性能的优势，不需要大的RAM来做Shadow，又可以用NAND来存数据，以发挥NAND 大容量和比特价钱便宜的优势。

1.Nor+PsRAM支持XIP,但是DENSITY很难上去,如果以后的手机需要O/S,需要大code size的功能模块,怎么办呢?
你的方案2也是有一样的问题.NAND里面需要存储的并不只是数据而已,操作系统,软件模块等,,,现在高端多功能手机需要的code size已经很大了.你的方案2只适合中端,如果code size超过Nor的范围,也是不行的.而且目前许多高端平台已经要求DRAM size512Mb了(尤其在3G中),PsRAM也达不到要求.Qualcomm MSM7200已经要求最好1Gb DDR
Mobile DRAM了. 最低512Mb DDR.
2.假设你设计一个手机方案,你要考虑加一个GPS功能,那么怎么实现呢:
  a.NAND+DRAM.
  b.趋势一:NAND+SDRAM的改进: 例如三星的Onenand+DRAM, onenand内带buffer RAM, booting速度快很多. 劣势:软件很难搞,三星只支持大客户. 今年Q3中兴出海外的智能手机上就可以看到了, PXA270方案.
趋势一发展: USP:在用OneNAND+DRAM时候,预先读取部分需要的code到buffer,靠软件管理,这样DRAM就不需要full shadowing,以前用512Mb大小的DRAM的话,再用了USP改进软件后,可能就只要300多Mb的DRAM了:)
  c.趋势二:对于双bb(通信+AP)模式的,以后OneDRAM方案会先在未来一两年国外流行.一个DRAM,带2个通道,中间有部分可以公用.那么你就可以把一个DRAM通道接到通信模块,另外一个通道接AP.
趋势二发展:OnePsRAM,针对中低端市场.明年各个大厂商才会有计划.
  d.趋势三: PRAM,相变存储, 08年一季度样品.

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