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[讨论] Parksonx 60N10 N型沟道MOSFET产品概述

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发表于 2024-5-30 12:08:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
Parksonx 60N10是一款高性能的N型沟道MOSFET,它采用了先进的SGT(Super Gate Technology)技术,从而实现了出色的栅极开启电阻(Ros(on))和低栅极电荷。这款MOSFET适用于广泛的电子设备和系统,为它们提供了高效、可靠的电源管理解决方案。

产品的主要特点包括:

低阈值电压:Parksonx 60N10的Vgs阈值电压仅为150mV,使得该MOSFET在较低的电压下即可开启。这一特性特别适用于对电源效率要求较高的应用,如电池供电设备或低功耗系统。
快速开通时间:该MOSFET的栅极开通时间(Lg)小于3ns,确保了快速响应和高效能。这使得它在需要快速切换或高频操作的应用中表现出色。
绿色环境可用性:Parksonx 60N10被设计为环保型器件,符合绿色生产和可持续发展的要求。它采用的材料和生产过程都考虑了环保因素,为电子设备制造商提供了符合环保标准的电源管理解决方案。
高密度深槽技术:通过采用高级高密度深槽技术,Parksonx 60N10实现了超低的Rds(on)(导通电阻)。这有助于提高能源效率,减少热量产生,从而延长设备的使用寿命。
优质散热设计:该MOSFET具有出色的散热性能。通过良好的封装设计和散热结构,它能够有效地散发热量,确保在高负载条件下稳定运行。
此外,Parksonx 60N10的包装信息也值得一提。它采用TO-252封装类型,每卷轴包含2500个器件,方便用户进行大批量采购和存储。同时,该产品的绝对最大额定值涵盖了漏源电压(VDs)、栅源电压(VGs)、连续漏极电流(ID)等多个关键参数,确保产品在不同工作条件下的可靠性和安全性。

总之,Parksonx 60N10 N型沟道MOSFET以其先进的SGT技术、优异的性能特点和可靠的工作环境适应性,为电子设备的设计和生产提供了理想的电源管理解决方案。无论是低功耗系统还是高性能设备,它都能提供高效、稳定的电源管理功能。

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