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[资料] PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET

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[LV.1]初来乍到

发表于 2022-9-22 11:14:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
特点
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。 ​​​​

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