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[讨论] 大家好,有个电容ESR和Insertion loss的问题讨论,请大家踊跃发表意见

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该用户从未签到

发表于 2020-6-19 17:04:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
大家好,
请问大家认为电容的ESR越小,Insertion Loss是越大还是越小?

我个人意见是:电容的ESR越小,Insertion Loss越小(在容性区间内)

事情是这样子的,网上有资料如:百度文库资料《磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制之电容 》以及《为何射频电路中电容都是pF级别 电感都是nH等级.pdf》这资料的作者貌似都是Criterion大神写的。


《磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制之电容 》写的如下图:       



《为何射频电路中电容都是pF级别 电感都是nH等级.pdf》写的如下图:


这二者矛盾啦,大家观点和我一致吗?是不是 《磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制之电容 》写的是错的?
欢迎讨论!!!

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该用户从未签到

 楼主| 发表于 2020-6-20 14:39:03 | 显示全部楼层
我弄懂了,文章写的都没有错,都是对的
第一种情况,是电容作为落地电容,在电路中输入和输出来看的话就相当于是把电容并联起来。
第二种情况,是对电容本身属性来说,其实就是从电容一端到另一端,相当于是串联电容。
串联和并联电阻互为倒数关系,so, they are all right, it's my foolish, hahaha
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