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[讨论] pi型匹配的两个并联位置对S参数的影响问题

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[LV.5]常住居民I

发表于 2018-6-13 14:45:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
初入射频,调试匹配的过程中,对史密斯圆和s参数的理解还不是很透彻,PA到双工之间的pi型匹配两个并联位置并联电容或者电感,对S参数的影响是否有什么联系?不是很清楚,还望大神指点。
52RD网友  发表于 6 天前
通过史密斯圆上的 对应线  进行 旋转。

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[LV.5]常住居民I

发表于 6 天前 | 显示全部楼层
并联电容和电感是对某频点在史密斯圆图中的位置进行;偏移,对于S参数可以上网找一下两者之间的关系

签到天数: 21 天

[LV.4]偶尔看看III

发表于 前天 13:57 | 显示全部楼层
首先你要看的应该是应该是PA输出端口的S参数吧,并联器件不管是电容或者是电感都是沿着等导纳圆移动,并联电感沿着等导纳圆向上移动,且并联的越小移动的距离越大,并联电容则沿着等导纳圆向下移动,并联的越大移动的越大。

该用户从未签到

发表于 前天 19:49 | 显示全部楼层
座等专家更为详细的解释。
另外,两个并联的器件,靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响?
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