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[讨论] pi型匹配的两个并联位置对S参数的影响问题

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[LV.6]常住居民II

发表于 2018-6-13 14:45:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
初入射频,调试匹配的过程中,对史密斯圆和s参数的理解还不是很透彻,PA到双工之间的pi型匹配两个并联位置并联电容或者电感,对S参数的影响是否有什么联系?不是很清楚,还望大神指点。

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[LV.4]偶尔看看III

发表于 2018-6-26 17:06:19 | 显示全部楼层
纯粹就轨迹不一样   以至于你最后的阻抗不一样





由上图可知   串联一样都2.3 pF   并联位置交换(值都不变)
轨迹不同   最后阻抗也不同



如果单纯软件   结果就不同了
那更不要说实际上量测结果  因为还有寄生效应   走线的影响


至于说
两个并联的器件,靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响?
以Pi型匹配而言   一定是三颗的摆放位置都一样
要嘛3颗都靠近PA   要嘛3颗都靠近Duplexer
摆放时当然要靠近PA  因为你调Load-pull就是靠这三颗
越靠近PA  对PA的Load-pull影响越大    所以靠近PA才调的动



若靠近Duplexer  等于PA看出去   会先看到一段走线
这样等于这三颗对PA的Load-pull影响降低
亦即PA的Load-pull  会比较难调   甚至调不动



至于这三颗   靠近PA跟靠近Duplexer   对S参数有啥影响
这个要实际量才知道


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52RD网友  发表于 2018-6-15 14:29:04
通过史密斯圆上的 对应线  进行 旋转。

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[LV.5]常住居民I

发表于 2018-6-15 16:23:36 | 显示全部楼层
并联电容和电感是对某频点在史密斯圆图中的位置进行;偏移,对于S参数可以上网找一下两者之间的关系

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[LV.6]常住居民II

发表于 2018-6-19 13:57:33 | 显示全部楼层
首先你要看的应该是应该是PA输出端口的S参数吧,并联器件不管是电容或者是电感都是沿着等导纳圆移动,并联电感沿着等导纳圆向上移动,且并联的越小移动的距离越大,并联电容则沿着等导纳圆向下移动,并联的越大移动的越大。

该用户从未签到

发表于 2018-6-19 19:49:11 | 显示全部楼层
座等专家更为详细的解释。
另外,两个并联的器件,靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响?

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[LV.6]常住居民II

 楼主| 发表于 2018-6-20 17:52:10 | 显示全部楼层
zhailong1986 发表于 2018-6-19 19:49
座等专家更为详细的解释。
另外,两个并联的器件,靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响?

我想问的也就是这个 两个并联的位置分别有什么区别

签到天数: 63 天

[LV.6]常住居民II

 楼主| 发表于 2018-7-2 15:19:22 | 显示全部楼层
criterion 发表于 2018-6-26 17:06
纯粹就轨迹不一样   以至于你最后的阻抗不一样

多谢大神
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