pi型匹配的两个并联位置对S参数的影响问题

a3625619000 · 发表于 2018-6-13 14:45:53

初入射频，调试匹配的过程中，对史密斯圆和s参数的理解还不是很透彻，PA到双工之间的pi型匹配两个并联位置并联电容或者电感，对S参数的影响是否有什么联系？不是很清楚，还望大神指点。

criterion · 发表于 2018-6-26 17:06:19

纯粹就轨迹不一样以至于你最后的阻抗不一样

由上图可知串联一样都2.3 pF 并联位置交换(值都不变)
轨迹不同最后阻抗也不同

如果单纯软件结果就不同了
那更不要说实际上量测结果  因为还有寄生效应走线的影响

至于说
两个并联的器件，靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响？
以Pi型匹配而言一定是三颗的摆放位置都一样
要嘛3颗都靠近PA 要嘛3颗都靠近Duplexer
摆放时当然要靠近PA  因为你调Load-pull就是靠这三颗
越靠近PA  对PA的Load-pull影响越大所以靠近PA才调的动

若靠近Duplexer  等于PA看出去会先看到一段走线
这样等于这三颗对PA的Load-pull影响降低
亦即PA的Load-pull  会比较难调甚至调不动

至于这三颗靠近PA跟靠近Duplexer 对S参数有啥影响
这个要实际量才知道

52RD网友 *发表于 2018-6-15 14:29:04* · 发表于 2018-6-15 14:29:04

通过史密斯圆上的对应线进行旋转。

keilayi · 发表于 2018-6-15 16:23:36

并联电容和电感是对某频点在史密斯圆图中的位置进行；偏移，对于S参数可以上网找一下两者之间的关系

cgqs · 发表于 2018-6-19 13:57:33

首先你要看的应该是应该是PA输出端口的S参数吧，并联器件不管是电容或者是电感都是沿着等导纳圆移动，并联电感沿着等导纳圆向上移动，且并联的越小移动的距离越大，并联电容则沿着等导纳圆向下移动，并联的越大移动的越大。

zhailong1986 · 发表于 2018-6-19 19:49:11

座等专家更为详细的解释。
另外，两个并联的器件，靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响？

a3625619000 · 发表于 2018-6-20 17:52:10

zhailong1986 发表于 2018-6-19 19:49
座等专家更为详细的解释。
另外，两个并联的器件，靠近PA和靠近SAW两个对参数又有什么不同的影响？

我想问的也就是这个两个并联的位置分别有什么区别

a3625619000 · 发表于 2018-7-2 15:19:22

criterion 发表于 2018-6-26 17:06
纯粹就轨迹不一样以至于你最后的阻抗不一样

多谢大神

tooper666 · 发表于 2019-10-26 17:40:07

并的电容还是电感，并的大小会影响轨迹，直到移到loadpull位置即可

mlz · 发表于 2023-1-17 13:53:02

学到了，靠近PA放，更好条load pull

shilicao · 发表于 2023-2-7 12:29:18

学到了,谢谢！

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