大神求解释下改变PA的供电电容，就能改善900的三次谐波辐射杂散呀

weixiao · 发表于 2016-12-14 16:24:40

我们现在遇到个900三次谐波辐射杂散，余量偏小4-5dBm左右，改了PA的电源接地电容，就变得很大了，十几dBm的余量。求大神解释下为什么？？？

weixiao · 发表于 2016-12-14 16:26:08

如下图，将10PF电容改成47NF，就很好了

weixiao · 发表于 2016-12-14 16:35:05

这是前后电源纹波对比图

littleRF · 发表于 2016-12-14 17:34:24

真羡慕你，有这样好的工具可以用

xiaodequan · 发表于 2016-12-14 18:09:44

PA做的不好。

hxb_RD · 发表于 2016-12-14 22:16:18

辐射杂散是传导的吗？这些指标不是可以用频谱仪测的吗？

eminem · 发表于 2016-12-15 19:43:00

VBAT不干净，原来的电容值又无法滤除干扰，就导致3次谐波超标。我是这样认为的。
但是有一点没想明白，10PF电容应该比47NF更能滤除高次谐波啊，望指教。

Rounder · 发表于 2016-12-15 22:10:44

不同的电容值，对不同频率的杂散的滤波效果是不同的

magicdaxian · 发表于 2016-12-19 10:17:36

hxb_RD 发表于 2016-12-14 22:16
辐射杂散是传导的吗？这些指标不是可以用频谱仪测的吗？

辐射是测整机装天线情况下的

zhang0fei · 发表于 2016-12-19 13:41:05

你这几颗电容的摆放位置是正确的吗？电容在高频处已经完全不是线性的了，并且你这颗电容直接滤除的也不是三次谐波，而是导致产生三次谐波的干扰，所以和容值大小并无关系。

yangshujie1133 · 发表于 2016-12-19 15:50:47

路过，学习一下

gook2009 · 发表于 2016-12-19 16:24:47

MTK 平台？从图上看是有干扰信号流入了vbat，在PA上混频产生了信号，加电容是滤掉了这个信号。大概25M, NF级的电容滤掉的差不多在这个频率上。

你这个图，改善前后，Vbat的纹波差异不大啊。没抓错吧[em02]

RFer450 · 发表于 2016-12-19 22:32:46

是啊，感觉滤波前后变化不大啊；

walking001 · 发表于 2016-12-21 13:01:41

哪家的PA？

criterion · 发表于 2016-12-21 17:19:06

本帖最后由 criterion 于 2016-12-21 17:20 编辑

先说结论  你的Root Cause是来自电源的

1. 高频噪声
2. Ripple

只是影响程度不同罢了

如果PA电源有问题  其TX性能会受影响
不只谐波连带Tx Noise in Rx Band, 或调制频谱/开关频谱都会受影响

而所谓的电源有问题一般来讲因素有三:

1. 高频噪声
2. 稳压不好 Ripple过大
3. IR Drop

先做一下仿真好了你三颗电容的频率响应如下 :

我们以2218 MHz为分水岭可以看到2218 MHz之后的噪声抑制能力
蓝色曲线是最好的
也就是说
不管你后来把Cap3拔掉(粉红曲线)  或是把Cap3换成47 nF(绿色曲线)
这段频率范围的噪声抑制能力  都无改善
因此得到一个结论你辐射杂散的改善
其Root Cause不会是来自这段频率范围的噪声

再来  我们观察1205 MHz到2218 MHz这段频率范围的噪声抑制能力
可以发现到  当你把Cap3拔掉时
这段频率范围的噪声抑制能力  就已经大大改善了
当然  如果把Cap3换成 47nF
其噪声抑制能力可以再更进一步改善  但改善程度不大
因此 Root Cause有可能是来自这段频率范围的噪声
因为可能1800 MHz的高频噪声  流入PA内部
跟900 MHz的RF讯号  产生2阶的Intermodulation  也就是IMD2
则计算得到IMD2的频率为2700 MHz  正好为三次谐波的频率

因此得到一个结论如果辐射杂散的改善
其Root Cause主要是来自这段频率范围的噪声
也就是前述电源问题的因素一  高频噪声
理论上  你把Cap3拔掉  辐射杂散就会改善了不用放47 nF
只是说放47 nF可以再更进一步改善

第三  我们观察1KHz到1205 MHz  这段频率范围的噪声抑制能力
可以发现你把Cap3拔掉其噪声抑制能力完全无改善
惟有放了47nF  才有所改善  但改善程度也不大
这跟你的电源波形是吻合的

Cap3 = 10pF

Cap3 = 47nF

可以看到  把Cap3从10pF换成47nF
其Ripple确实有所改善  但改善程度不大  只有38mV
(270 mV – 232 mV = 38 mV)
但有些PA的电源  对Ripple很敏感
也许38mV的Ripple改善  便足以大幅改善你的TX性能了
所以也不能说这边跟辐射杂散的改善  毫无相关

因此得到一个结论如果辐射杂散的改善
其Root Cause主要是来自这段频率范围的噪声
也就是前述电源问题的因素二  稳压不好 Ripple过大
理论上  你把Cap3拔掉  其辐射杂散并不会改善
唯有把Cap3放47nF  其辐射杂散才会有所改善

所以整体看来你的Root Cause是来自电源的

1. 高频噪声
2. Ripple

只是影响程度不同罢了

如果Cap3拔掉  辐射杂散就会大幅改善
那表示高频噪声的影响程度较大
如果Cap3拔掉  辐射杂散没啥改善  要放47nF才会大幅改善
那表示Ripple的影响程度较大

另外你一开始的电容摆放顺序不对应该要如下 :

PA电源的落地电容当然要靠近PA摆放
但是大家都要靠近PA  总得有个优先顺序
优先顺序就是 : 10pF => 1nF => 22uF
电容值越小的  要越靠近PA
而你修改后的摆置应该是1nF => 47nF => 22uF

另外  既然Root Cause是来自PA电源
原则上你传导杂散就会Fail了
怎会到了辐射杂散才发现Fail ?

weixiao · 发表于 2016-12-22 09:34:06

xiaodequan 发表于 2016-12-14 18:09
PA做的不好。

恩，有可能的，Qorve的PA

weixiao · 发表于 2016-12-22 10:03:32

criterion 发表于 2016-12-21 17:19
先说结论你的Root Cause是来自电源的

1. 高频噪声

首先感谢 @criterion大神回帖，好激动，每次都看大神的帖子。

前几天一直在忙，传导900三次谐波杂散是-45，余量很大的。而辐射只有3-4dB 余量，客户要求6dB 以上。

经过上面的整改，发现1800的二次谐波余量变小了（从10db变成了5db余量）。

继续整改，有两张改法：C1527=5.6pF；C1529=47nF。

方法二：C1527=220nF，C1529=47nF 在电池连接器出并了一颗 D503=5.6pF。

900与1800的余量都达到客户6dB 余量要求（这都是做实验的，但是不懂为什么，尴尬）。

luren89 · 发表于 2016-12-22 15:45:11

weixiao 发表于 2016-12-22 10:03
首先感谢 @criterion大神回帖，好激动，每次都看大神的帖子。

前几天一直在忙，传导900三次谐波杂散是 ...

你测CSE的时候有加屏蔽盖吗？

luren89 · 发表于 2016-12-22 15:53:26

weixiao 发表于 2016-12-22 10:03
首先感谢 @criterion大神回帖，好激动，每次都看大神的帖子。

前几天一直在忙，传导900三次谐波杂散是 ...

另外是接充电器测得？

weixiao · 发表于 2016-12-26 10:42:28

luren89 发表于 2016-12-22 15:45
你测CSE的时候有加屏蔽盖吗？

肯定加了的，两件式的屏蔽罩，换壳料不怎么毁坏的

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[讨论] 大神求解释下改变PA的供电电容，就能改善900的三次谐波辐射杂散呀

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