其中,Δχ是磁性粒子与周围溶液或介质的磁化率差,V是粒子的体积,μ0为真空磁导率, B 是磁感应强度,∇B 为磁场梯度。对于均匀磁场来说,∇B为0,此时,粒子在磁场中只能被磁化,而不会受力发生移动。所以,磁性粒子只有在不均匀的磁场中才能够发生受力运动,而磁感应强度B 在磁场方向随距离增加是呈指数递减的。因此,通常为了对微通道中的磁性粒子进行精确地操纵和定位,需要磁场尽量接近微通道。无论永磁体还是电磁体,通过提高磁感应强度来得到最大磁场力的努力总是受到材料和现有技术水平的限制,一个简单有效的办法就是缩小磁场区域,即提高磁场梯度∇B。对于微流控芯片来说,磁场的尺寸和形状要尽量与微米级的芯片通道相匹配,于是,基于MEMS技术的集成磁控器件的加工技术一直备受关注。在芯片上加工电磁线圈一般都需要经过多次光刻和电镀程序。图显示了一种电磁线圈的加工过程,采用光刻技术在玻璃表面制作出金属线圈、导线和绝缘层等微结构单元,控制每层金属薄膜的尺寸和形状,一般在电镀之前均要沉积一层金属作为种子层,金属层之间通过SU28光胶或聚酰亚胺进行绝缘。Ra2madan等还发现,在电磁线圈中间加工软铁芯,可以大大提高磁场梯度,有利于对磁性粒子的操控,与单纯电磁线圈相比,磁场力可提高20倍。