WCDMA EVM fail @最小功率

love7

请问各位大神
1.单独测试EVM和相位不连续里的EVM，这俩个EVM是同一回事儿吗？我所知道的是单独测和相位不连续测，设置是不一样的。
2.WCDMA EVM fail @最小功率，但最大功率下EVM又没事儿，这跟什么有关系，高通回复说让外供电或者调匹配
高通平台也有酱油哦，要这个log那个电路图还有代码啥的，最后也说不出来个合理的建议，哎，醉了

criterion

跟Carrier Leakage, 或称LO leakage有关  




因为高通的收发器  一项都是零中频(ZIF)架构



由上图可看到  ZIF的收发器   其IQ讯号上  容易会有直流成份
而由下式可知  就理论而言  IQ讯号上的直流成份若为零  
其LO leakage应该是不存在的  透过仿真也证实这点





但实际上很难完全为零  若太过严重  频谱上会看到这情况






以星座图而言   会整体偏移






这当然会劣化EVM  或是CDMA的Rho值



所以IQ Offset  就是在量这东西




而这项是包含在LTE的In band Emission中










回到WCDMA  若输出功率越低   则意味着其SNR越差



而SNR越差   其EVM就越大



也就是说  若有LO leakage   其EVM与输出功率  关系图如下:



这就是为什么最小功率会Fail, 但最大功率却没事

若有这状况发生   原则上你Step E跟Step F的内环功控(ILPC)也会Fail



因为当你RGI(RF Gain Index)一直往下打时   你的RF主频固然会一直下降
但carrier leakage仍屹立不摇站在那边   若振幅大过RF主频
会变成你仪器量到的输出功率  一直不变  因为量到的都是carrier leakage
以上图为例    输出功率停留在约-33 dBm   就下不去了




而ILPC中  最容易Fail的就是Step E跟Step F,  因为动态范围大
(-50 dBm ~ 24 dBm)  要求的精确度又高(Step size = 1 dB)



以刚刚例子而言   输出功率到了-33 dBm就下不去  
无法到达Step E跟Step F要求的最低功率-50 dBm  当然ILPC会Fail
所以你可以先验证ILPC  以厘清是否这因素造成




如前述  这是IQ讯号上的直流成份所造成   
你若放DC Block  非常可能会连IQ讯号都一并文件掉   因为IQ讯号是极低频的讯号



而若是升频后才放DC Block  因为已经升频成RF了   
你放DC Block也砍不掉

解决方案只有两个   要嘛重新校正   因为这只能靠校正去改善
另一个就是检查电路



好比倘若用不到的IQ讯号  直接空接就是   
若是接地   则直流讯号可能会从GND窜上去   流入IQ讯号   造成Carrier Leakage


  

heartfly

PA 低增益是多少？ 查看一下 WTR的走线是否按照Layout Guide来走

记得功率小于-20dbm evm是不做要求的.

kingdomo

[em02]

deng199

学习学习

longhun0570

学习了！！

kk602321

插眼留名

kk602321

这贴我收藏了！