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[讨论] 求解耳机音频电路的一个小细节

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发表于 2015-3-28 11:17:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
在耳机端AU_HPL和AU_HPR会串10uf电容而且串入100欧姆作用的电阻,而听筒会串入0.1uf,不会串入电阻?如何从原理上分析呢?

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发表于 2015-4-2 20:05:27 | 显示全部楼层
lakers 发表于 2015-4-2 16:38
你说的采用charger pump构成正负电源供电的方式就是俗称的DC耦合,这个是不需要加隔直电容的,MTK平台也 ...

       说的很对!
       不过,我个人觉得加Bead对于TDD Noise其实没什么作用。如果存在TDD Noise的话,要么辐射干扰,要么GND波动,尤以GND不干净最为常见。通路上串联Bead似乎对此无能为力,优化Layout可能才是正解。
       以上观点仅供参考,欢迎批评指正!
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发表于 2015-5-23 23:09:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 nt_mouse 于 2015-5-31 23:39 编辑
lijin7980052 发表于 2015-5-20 17:42
tdd是在900mhz包络里面干扰的,磁柱滤除900mhz就滤除掉217hz了


    我认为900MHz载波信号不存在217Hz及各次谐波的包络。GSM系统采用GMSK调制方式,载波信号为恒包络,哪有什么217Hz及各次谐波?TDD Noise应该首先确认是辐射(与射频信号包络应该无太大关系)还是传导,是上行还是下行,最终多是从Layout上面解决的。
     我的观点,这个磁珠的作用基本上主要用于FM频段的EMI,并且可以防止FM信号倒灌入Codec PA,前面有朋友也已经解释过。
     纯属个人观点,欢迎讨论!

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这里的217不是信号,而是900MHZ的载波以217的频率发射。当然这个磁珠主要不是滤除TDD的,主要用于EMI和FM信号倒灌,但应该滤除900MHZ的载波信号还是有一点作用吧  发表于 2015-6-18 18:19
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发表于 2015-4-3 01:00:19 | 显示全部楼层
耳机 端加 磁珠 主要是 EMI ,防止在 认证测试时 100MHZ 左右 的 辐射 超标 , 因为 耳机本来 可以 做FM天线 ,所以 @100mhz 的 阻抗 越大越好 ,一般最小600 欧姆吧 ,也有 用到 2500欧姆的 , 磁珠 直流阻抗很小,对 音频 影响 可以忽略 。  同时 该磁珠在 FM收音 时 也 可以 防止 FM信号 跑到左右声道 进入 CPU短,而使 真正到FM芯片的 信号减弱 ,所以 这些磁珠都要靠近 耳机做 放  
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发表于 2015-3-28 16:45:12 | 显示全部楼层
串100欧姆电阻主要为了耳机改善耳机的音质, 低频效果更好. 10uF电容跟100R电阻及耳机  构成一个低通电路.  如果没有这个100欧姆电阻的话, 要想几十HZ到200Hz之前的频率响应好的话, 电容估计要100UF以上才行, 而加入这个电阻后,电容就可以用小点的.同时现在认证 对耳机的安全音量也有要求.
听筒主要是打电话, 对音质, 音量要求不如耳机.

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串电容本身就是高通啊,串电阻是消波啊,这样解释电阻的原因有些牵强吧  发表于 2015-4-22 16:26
串电容怎么会是低通?是高通才对吧!  发表于 2015-3-30 16:52
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发表于 2015-3-29 21:14:15 | 显示全部楼层
学习了,
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 楼主| 发表于 2015-3-30 22:47:17 | 显示全部楼层
shanshiyu 发表于 2015-3-28 16:45
串100欧姆电阻主要为了耳机改善耳机的音质, 低频效果更好. 10uF电容跟100R电阻及耳机  构成一个低通 ...

这个图是从MTK参考原理图上截取下来的,而我们公司的是10Uf+33欧姆的组合,前辈知道这具体参数怎么确定的吗?
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发表于 2015-3-31 17:31:36 | 显示全部楼层
yzworld 发表于 2015-3-30 22:47
这个图是从MTK参考原理图上截取下来的,而我们公司的是10Uf+33欧姆的组合,前辈知道这具体参数怎么确定的 ...

这个平台耳机通路是AC耦合的,需要电容隔直滤波。选择100欧姆或者33欧姆看是怎么音质和音量之间的取舍了,100欧姆音质会好一些,因为构成的高通滤波器低频截止频率低,音质会饱满一些,但是相比33欧姆的话音量要小一些。
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发表于 2015-3-31 18:33:43 | 显示全部楼层
sorry, 应该是构成高通滤波器,  截止频率 f=1/(2*pi*R*C)    所以RC成绩越大截止频率越低。如果不加这个100欧姆电阻,我做了一下耳机的频率响应  电容分别用了22uF  47uF 200uF  可以看出200uF的时候截止频率为40Hz左右,22uF的时候为450Hz  这是我11年测试的,仅供参考

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发表于 2015-3-31 21:36:29 | 显示全部楼层
shanshiyu 发表于 2015-3-31 18:33
sorry, 应该是构成高通滤波器,  截止频率 f=1/(2*pi*R*C)    所以RC成绩越大截止频率越低。如果不加这个100 ...

      我倒是觉得,采用charger pump构成正负电源供电的OCL方式,不加这两个隔值电容最好。这种OTL电路,一不小心就会有POP音问题,很难解。
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发表于 2015-4-1 19:53:49 | 显示全部楼层
学习啦
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 楼主| 发表于 2015-4-1 22:55:39 | 显示全部楼层
lakers 发表于 2015-3-31 17:31
这个平台耳机通路是AC耦合的,需要电容隔直滤波。选择100欧姆或者33欧姆看是怎么音质和音量之间的取舍了 ...

这样一说,就全都理解了,还有个问题想请教一下,在MIC和REC,SPK电路中都会有一个100pf的电容,用来消除共模干扰,我看到这个电容的耐压值要50V左右,这个为什么要这么高呢?
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 楼主| 发表于 2015-4-1 23:05:47 | 显示全部楼层
shanshiyu 发表于 2015-3-31 18:33
sorry, 应该是构成高通滤波器,  截止频率 f=1/(2*pi*R*C)    所以RC成绩越大截止频率越低。如果不加这个100 ...

高手果然都是用事实说话啊,赞一个!问一下前辈,看MTK参考设计,在耳机的端的MIC,R,L都会有一个磁珠,而且这个磁珠都会很大,这个三个磁珠是用来做什么的啊?怎么分析并且确定参数的呢?

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发表于 2015-4-2 16:38:51 | 显示全部楼层
nt_mouse 发表于 2015-3-31 21:36
我倒是觉得,采用charger pump构成正负电源供电的OCL方式,不加这两个隔值电容最好。这种OTL电路, ...

你说的采用charger pump构成正负电源供电的方式就是俗称的DC耦合,这个是不需要加隔直电容的,MTK平台也有这个类型的PMIC平台。
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发表于 2015-4-2 16:42:19 | 显示全部楼层
yzworld 发表于 2015-4-1 23:05
高手果然都是用事实说话啊,赞一个!问一下前辈,看MTK参考设计,在耳机的端的MIC,R,L都会有一个磁珠,而 ...

磁珠的作用主要都是为了滤除TDD noise干扰的
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发表于 2015-4-2 16:48:56 | 显示全部楼层
yzworld 发表于 2015-4-1 22:55
这样一说,就全都理解了,还有个问题想请教一下,在MIC和REC,SPK电路中都会有一个100pf的电容,用来消除 ...

首先这个100pf是用来滤除差模干扰的,而非共模干扰;至于为什么大于50V就不得而知了,同求高手解惑。
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发表于 2015-4-2 20:07:30 | 显示全部楼层
学习了,各位大神。[em01]
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52RD网友  发表于 2015-4-3 12:57:22
nt_mouse 发表于 2015-4-2 20:05
说的很对!
       不过,我个人觉得加Bead对于TDD Noise其实没什么作用。如果存在TDD Noise的话 ...

不对吧,40%以上的TDD都是靠bead 解掉的。
发表于 2015-4-3 14:36:17 | 显示全部楼层

学习了,
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发表于 2015-4-10 13:28:57 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2015-4-16 22:02:48 | 显示全部楼层
这是一个大神汇集的帖子。
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