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[讨论] 双工器的GND要不要keepout!

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发表于 2014-9-28 17:46:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
双工器的GND要不要keepout,我们所有的量产的项目双工器下面都keepout了。但是我看MTK6166的layout注意要求不keepout!这个对W指标会有什么影响吗?

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发表于 2014-10-4 13:19:21 | 显示全部楼层
先回答你的问题     答案是会影响Rx的性能  
之所以挖空也可以量产
我猜是因为只卖中国大陆   只过CTA
而CTA在WCDMA部份   几乎只测TX
所以RX性能劣化    不影响过认证















因为WCDMA是FDD   TX/RX会同时运作
所以需要Duplexer来做Tx/Rx的隔离




避免Tx讯号干扰Rx讯号
倘若Rx讯号被Tx讯号干扰   甚至LNA被Tx讯号饱和的话  
那么
Sensitivity
Adjacent Channel Selectivity
Max input power level
Blocking
都会有所劣化   甚至Fail




也因此  Duplexer三方都要做好隔离




而隔离的好坏   取决两个因素

1. Duplexer本身的isolation
2. Layout

第一点就不提了   料选好就是了
当然Duplexer有许多指标要看  例如Size , Cost , Insertion Loss, VSWR….等
但Isolation最是重要   若Isolation太差   那其他指标再好都没意义

而第二点更重要    因为若Layout不好
即便Duplexer本身isolation再好  都是枉然
所以人家的Layout Guide也写了




而Layout的不好   又分走线耦合跟Pin耦合
就以MT6166这平台为例   
WCDMA  B1用的Duplexer是Murata的SAYRF1G95HQ0F0A




由上图可看到   因为Tx Pin跟Rx Pin在相反方向   原则上走线耦合的机会不大
比较可能的是ANT 走线耦合Rx 走线 , 以及Tx 走线耦合ANT 走线




所以人家才会叫你走线要分开一点





再来是Pin耦合   若你Duplexer下方的GND挖空  那Pin之间没有护城河保护
就会产生下图的Pin耦合现象





因为你这些GND Pin没接地  基本上就只是金属罢了  
Tx Pin/Ant Pin是可以用”跳棋”的方式去干扰Rx Pin的
所以人家才会叫你GND Pin要连起来   




注意喔~!!  不要忽略后面那句 ”多打Via”




前面讲过   GND Pin没接地  基本上就只是金属  
你若没打Via  就算GND Pin连起来
ANT Pin一样可以透过跳棋的方式去干扰Rx Pin
而且GND Via要打越多越好   因为Via有等效电阻
你Via打越多  等同于越多电阻并联   而电阻是越并越小
换言之  Via越多   其阻抗就越低   
那么Noise就越会流到Main GND   而不会去干扰Rx Pin
所以Duplexer的Layout  正确方式应该如下图



而且这样的Layout   也可以加强散热
因为Duplexer的频率响应   是会随温度而有所变动的
如果离PA过近  散热又不好  一旦高温使其频率响应有所偏移
那么很可能主频的功率  会大幅衰减





尤其是像FBAR这种Outband砍比较深的   更会有这种现象  



所以Duplexer的散热  也是很重要的一个考虑









另外   以AVAGO的ACMD-7612为例   中间的GND Pin直接连成一片金属

  
   

没接地的金属    就是辐射体   
前面Murata的Duplexer   其GND Pin比较小   或许还不是什么有效的辐射体
但AVAGO这颗  GND Pin整个连成一片   那很可能会变有效的辐射体
所以有可能TX讯号先耦合到GND Pin   再辐射到Shielding Cover
再讲一次   没接地的金属    就是辐射体  
所以除非你Shielding Cover跟Shielding Frame接触很紧密
不然Duplexer GND Pin辐射出去的能量   会分三部份
1. 流到Main GND
2. 向外辐射出去
3. 在Shielding Can里头反射




一旦这些辐射或反射的能量   打到Transceiver/PA的电源
那你Tx的Performance   也会跟着一并劣化






Duplexer唯一会需要挖空的目的
我只想到寄生效应
因为Duplexer本质是两个SAW  Filter




有可能因其封装缘故, 导致内部成电容性
因此除了ANT端出去要外挂落地电感   来抵销其电容性   使其阻抗能收敛




也可能会需要挖空   使其电容性不要更恶化



但是由前述分析看来   挖空几乎只有坏处
倘若这颗Duplexer   不管再怎样   就是一定要挖空的话
这么重大的注意事项   厂商的Datasheet
跟MTK/Qualcomm的Layout Guide肯定会写
如果没特别Highlight   
还是不挖空   铺铜并多打GND Via  比较保险


其他详细原理   可参照







在此就不赘述

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发表于 2015-1-5 18:50:40 | 显示全部楼层
高手,感谢criterion
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发表于 2014-9-28 18:34:31 | 显示全部楼层
这个没有啊
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发表于 2014-9-28 20:45:49 | 显示全部楼层
我们都是一直连在主地的,没有KEEPOUT
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发表于 2014-10-4 23:53:15 | 显示全部楼层
求推荐国产的双工器,滤波器,FBAR等等 4G器件,最好是在华东的,谢谢!!
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 楼主| 发表于 2014-10-6 09:22:43 | 显示全部楼层
criterion 发表于 2014-10-4 13:19
先回答你的问题     答案是会影响Rx的性能  
之所以挖空也可以量产
我猜是因为只卖中国大陆   只过CTA

我艹,得到牛逼大神的牛逼回复,膜拜学习中
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发表于 2014-10-6 11:03:40 | 显示全部楼层
受教了!
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发表于 2014-10-8 16:07:09 | 显示全部楼层
好好学习了下,讲解的很详细![em06]
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发表于 2014-12-19 11:03:16 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2014-12-19 11:03:35 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2014-12-19 11:34:26 | 显示全部楼层
学习了,Cri大神
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发表于 2014-12-19 14:44:42 | 显示全部楼层
4楼分析透彻
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发表于 2014-12-20 10:05:13 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2014-12-20 11:21:24 | 显示全部楼层
crition分析很全面,佩服
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发表于 2014-12-21 20:15:22 | 显示全部楼层
crition,有时间开个培训班吧,膜拜学习
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发表于 2014-12-21 21:11:05 | 显示全部楼层
又见criterion大神!!!
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发表于 2014-12-26 20:50:14 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2014-12-31 17:44:07 | 显示全部楼层
高手果然不同!
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52RD网友  发表于 2014-12-31 22:04:10
论坛需要的就是大批像crition这样的人
发表于 2014-12-31 22:05:29 | 显示全部楼层
论坛需要的就是大批像crition这样的人
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