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[讨论] 如何查找GSM手机的EMC干扰源?

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发表于 2006-5-25 21:10:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
整机做EMC测试可以知道结果,如何查找里面的干扰源呢?用导电布接地能否起到屏蔽作用呢?小弟新接手后期GSM手机的EMC debug工作,面对这些苦不堪言,望各位大侠指点一二。
发表于 2006-5-26 10:19:00 | 显示全部楼层
大的方向:从传导到辐射;
关于辐射,我想把我以前的想法说出来:一般低次谐波,两个G以下的,从长走线,或电池引脚出来的多,而高次波从屏蔽逢,从元件出来的多。
所以查emc要从频率入手;
再有,要知道出来的谐波有多处,你找到第一处时,也就有很小的改善,不要忽略!!!第二处就会有5个dB,第三处就可能10dB乐。
希望大家一起讨论。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-5-26 17:03:00 | 显示全部楼层
[em08][em08][em08]zhichi
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 楼主| 发表于 2006-5-28 17:10:00 | 显示全部楼层
2楼的兄弟说的有道理,这个长走线一般指什么地方?现在我使用的策略有使用把电池id pin于电池负极直接短接,但是有的机种效果不大,我也在电池id脚并电容(3.3pf,4.7pf,5.6pf等等)好像效果都不大,再就是准备直接串bead。不知道效果如何。上个礼拜五,六花了4个小时试验,降了0.8个dB,还不知道是不是测量误差....希望大家多多支持~~
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 楼主| 发表于 2006-5-28 17:13:00 | 显示全部楼层
我的手机属于低成本机,只有RF一块屏蔽罩,其他地方都是裸的,耦合emc的结果,也是180度的时候最差,就是手机背对测试天线的时候最差,我把基本所有的裸露芯片都用吸波材料包了,但是还是没有多大改善。
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发表于 2006-5-29 12:44:00 | 显示全部楼层
加电容要看频率,不要凭感觉。电容都有自谐振频率,那就是你所要用的地方。
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 楼主| 发表于 2006-5-30 09:05:00 | 显示全部楼层
这几天debug,在PMU上包了块吸波材料,gsm 2次谐波改善了3dB左右。看了下logic,看到VBAT进PMU是串了个0ohm,就换了个3A的bead(0603)上去,结果2次谐波反而变大了很多。
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发表于 2006-5-30 11:26:00 | 显示全部楼层
<P>你现在的问题是辐射超标,你要明白辐射的原理--它是通过空间直接辐射出来,所以</P><P>1。你首先要把研究的方向集中在找杂讯源。</P><P>A。先从你的测试结果知道FAIL的点的频率是多少,它们是GSM手机里哪个芯片的主频;</P><P>B。将EMC抑制元件摆放于该主频出来的地方,越短越好,不应让该主频在未处理的情况下在PCB板上走线,看你所说,你在进PMU上加bead,你为什么不在VBAT出来的地方加呢?那应该效果更好!</P><P>C。然后分析该主频所经过的地方哪些线容易被耦合,对这些线进行加大它们之间距离的处理,还要分析这些线的长度是否刚好满足FAIL的频率的最大发射功率的条件,如果是,则要改变该长度;</P><P>2。屏蔽</P><P>因为是空间辐射,所以屏蔽非常重要,如果可能,将你的手机后盖里面用铝箔包起来,和RF屏蔽罩接在一起;</P><P>如果没有可能,则根据上边的分析,找到发射源,在源端加吸波材料,大大降低从源端发射出来的RF杂讯。</P><P>希望能给你帮助!</P>[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2006-5-31 08:05:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>aquarius_zb</I>在2006-5-30 9:05:00的发言:</B>
这几天debug,在PMU上包了块吸波材料,gsm 2次谐波改善了3dB左右。看了下logic,看到VBAT进PMU是串了个0ohm,就换了个3A的bead(0603)上去,结果2次谐波反而变大了很多。</DIV>


不是这里的电源,是PA的,BGY502的。
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 楼主| 发表于 2006-5-31 08:53:00 | 显示全部楼层
BR>A。先从你的测试结果知道FAIL的点的频率是多少,它们是GSM手机里哪个芯片的主频;

测试fail点是1.80488GHz,就是GSM 900 62CH 2次谐波的地方。这么高的频率不大可能是任何芯片的主频。


B。将EMC抑制元件摆放于该主频出来的地方,越短越好,不应让该主频在未处理的情况下在PCB板上走线,看你所说,你在进PMU上加bead,你为什么不在VBAT出来的地方加呢?那应该效果更好!

PMU将VBAT进去的电压分成各个芯片各自需要的电压电流。我是看到VBAT只串了个0ohm进芯片,怕VBAT的电压很脏,就想给它加个bead,没想到2次谐波变得更大了。


C。然后分析该主频所经过的地方哪些线容易被耦合,对这些线进行加大它们之间距离的处理,还要分析这些线的长度是否刚好满足FAIL的频率的最大发射功率的条件,如果是,则要改变该长度;


这段很深奥,有没有相关资料给偶补习一下,怎么看那些线容易被耦合。怎么计算长度?


2。屏蔽
因为是空间辐射,所以屏蔽非常重要,如果可能,将你的手机后盖里面用铝箔包起来,和RF屏蔽罩接在一起;
板子除了RF那块有shielding,其他都是裸得,低成本的玩意。所以不能包铝箔。

只有找到主要干扰源。对症下药。
如果没有可能,则根据上边的分析,找到发射源,在源端加吸波材料,大大降低从源端发射出来的RF杂讯。
我已经知道是PMU这里出的问题,但是不知道再怎么深入下去了
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发表于 2006-6-1 08:25:00 | 显示全部楼层
很奇怪,pmu没有单独的屏蔽壳吗? 我始终感到是pa到电池引脚的。
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 楼主| 发表于 2006-6-1 08:51:00 | 显示全部楼层
好,我再去看看
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 楼主| 发表于 2006-6-1 14:16:00 | 显示全部楼层
VBAT直接进PA的,不通过PMU
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发表于 2006-6-1 16:54:00 | 显示全部楼层
值得学习,好东东,要研究研究,是个好方向!
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发表于 2006-6-2 08:11:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>aquarius_zb</I>在2006-6-1 14:16:00的发言:</B>
VBAT直接进PA的,不通过PMU</DIV>


对呀,应该在这个方向吗,当然这是我的意见。还要你做试验。等着你的数据。
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 楼主| 发表于 2006-6-2 22:30:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>bestdesign</I>在2006-6-2 8:11:00的发言:</B>



对呀,应该在这个方向吗,当然这是我的意见。还要你做试验。等着你的数据。</DIV>


有什么具体的方向啊?给点提示
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发表于 2006-6-5 08:26:00 | 显示全部楼层
BGY502得电源呀,测一下传导的,然后给出数据,我们在想办法。
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 楼主| 发表于 2006-6-5 13:35:00 | 显示全部楼层
<P>BGY502是什么东西?philips的?你的意思是不是我给PA直接加点,然后测传导?</P>
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发表于 2006-6-5 15:29:00 | 显示全部楼层
对不起,兄弟,我把几个帖子弄混了,我记得是一个兄弟用502的PA,sorry,
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 楼主| 发表于 2006-6-8 09:00:00 | 显示全部楼层
我们这里不能测传导下的emc
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