STM32教程系列之FLASH

wangsitai

一、实现的功能
1．实现对STM32Fxxx的片内FLASH的擦除和烧写，并读出后进行检验。
2．用串口打印出检验FLASH内容是否正确的变量值。
二、实验操作及现象
1．双击FLASH.eww打开工程文件，然后进行编译。
2．用Flash Loader将程序下载到ARM内，或者利用JLINK等仿真器进行仿真。
3．在程序运行前，用串口线将开发板的串口1和PC机的串口1连接，并打开“串
口调试助手”，设置波特率为115200，将会看到每0.5秒显示一次“Flash Status=1”，
则说明FLASH操作成功，否则说明FLASH操作失败。
三、片内FLASH学习
大家可能会疑惑，既然我们可以利用工具将代码下载芯片内部，为什么还要讲解Flash编程呢？目的是让大家掌握后可以编写自己的BootLoader，例如用CAN总线接口来更新产品中的升级代码，不需要将产品拆卸即可完成。另外一个很重要的问题就是我们要保护好自己编写的代码，否则被破解后，就成别人的产品了。
1．解除Flash锁   
复位后，闪存擦写控制器模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器，
通过写入两个关键字(KEY1，KEY2)到FLASH_KEYR寄存器打开闪存擦写控
制器，才可以进行其他闪存操作。其中KEY1为0x45670123，KEY2为0xCDEF89AB。
编程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
          FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
2．页擦除
        在FLASH操作中，每次擦除只能擦除一页，不能一个字节一个字节的擦除，其实所谓的擦出就是将指定的页全部填写成0XFF，下面是页擦除的过程：
   -检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
   -用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页；
   -设置FLASH_CR寄存器的PER位为1；
   -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
   -等待BSY位变为0；
   -读出被擦除的页并做验证。
编程如下：
        //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
  
  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行页擦除操作
  {
   
    FLASH->CR|= CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1
    FLASH->AR = Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
    FLASH->CR|= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
   
    //等待擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
    status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

    if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
    {
      //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
      FLASH->CR &= CR_PER_Reset;
    }
  }
3. 全部擦除
        全部擦除就是将全部FLASH都填写成0xFF，其过程如下：
   -检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
   -设置FLASH_CR寄存器的MER位为1；
   -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
   -等待BSY位变为0；
   -读出所有页并做验证。
编程如下：
        //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
  
  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作状态，开始进行全部页擦除操作
  {
     FLASH->CR |= CR_MER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的MER位为1
     FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
   
    //等待全部页擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
    status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

    if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
    {
      //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
      FLASH->CR &= CR_MER_Reset;
    }
  }          
4. 编程
   编程就是将数据写入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次编程都是16位（在32位系统中，我们叫做半字），过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
   -设置FLASH_CR寄存器的PG位为1；
   -写入要编程的半字到指定的地址；
   -等待BSY位变为0；
   -读出写入的地址并验证数据。
编程如下：
        //检查参数是否正确
  assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));

  //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
  
  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
  {
   
    FLASH->CR |= CR_PG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PG位为1
  
    *(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址
    //等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

    if(status != FLASH_BUSY)
    {
      //如果半字编程完毕，禁止PG位
      FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
    }
  }
5. 信息块擦除
   信息块的擦除主要是指对选择字节的擦除，选择字节组织如下：

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