FLASH 能否做兼容？？

paradise0207 · 发表于 2009-4-20 18:03:17

哪位高手实现过手机FLASH兼容程序，譬如实现TOSHIBA 70nm与90nm两种不同工艺的FLASH momery 兼容程序，请不惜赐教！谢谢

xiaozhi713 · 发表于 2009-4-20 18:39:20

这样的兼容还没见过啊!见过的只是不同厂家的兼容

paradise0207 · 发表于 2009-4-20 19:09:56

不同厂家的兼容我也没有想出到底应该怎么做？能指示一下吗？谢谢

dreamheaven · 发表于 2009-4-20 20:59:12

Toshiba 90NM 70NM device ID 不一样，所以没法做成兼容
同理不同厂家的也无法做成兼容

paradise0207 · 发表于 2009-4-21 09:04:23

我也是比较困惑，但确实有公司实现过这方面的兼容，但我却想不出如何做兼容，确切的说，只有 device id不一样才能做兼容，不然无法实现程序分支。只是我不知道该在哪里去读Device id 以及如何链接到对应的memory list上。

yxj5421 · 发表于 2009-4-22 16:07:36

不同厂家的flash，大小一样，封装一样，可以兼容。目前支持nor-flash
我说说思路;
1、首先要把mtk里面memory自动配置的命令关掉，就是把emigen这个命令关闭
2、把要兼容的flash的id，分区，页大小等相关信息搜集到，然后放在一个结构里面。
3、在init.c中Application_Initialize进行读id操作
const kal_uint32 MANUFACTURE_ID_ADDR = 0x80030100; // flash id is save in DMA registers
const kal_uint32 DEV_ID_ADDR = 0x80030200;
const kal_uint32 EXT_DEV1_ID_ADDR = 0x80030104;
const kal_uint32 EXT_DEV2_ID_ADDR = 0x80030204;

gManufacture_code = *(volatile kal_uint16 *)MANUFACTURE_ID_ADDR;
gDev_code = *(volatile kal_uint16 *)DEV_ID_ADDR;
gExt_dev_code1 = *(volatile kal_uint16 *)EXT_DEV1_ID_ADDR;
gExt_dev_code2 = *(volatile kal_uint16 *)EXT_DEV2_ID_ADDR;

4、在custom_emi.c中custom_setEMI和Initialize_FDD_tables中进行判断，然后把相应的flash参数赋给相关的变量。

tommygreen · 发表于 2009-4-22 19:37:28

一般来讲，区分不同的Flash MCP，有如下几个方法：
1. 产品ID号
2. RAM的容量大小
3. 上述两个都无法区分，还可以通过分析不同MCP的NOR控制器中的寄存器，即CFI接口数据进行区分

dalvin · 发表于 2009-4-23 11:38:44

To:yxj5421
几点疑问:
1 在Application_Initialize进行读id操作是不是晚了?是不是应该在INT_Config里set emi之前?
2 把flash id is save in DMA registers 是做何考虑?直接保存到不会被清零的internal ram中可以吧

3 flash操作函数也需要根据不同的flash动态加载的

yxj5421 · 发表于 2009-4-23 14:04:21

我的意思是把所有兼容的flash相关信息保存在一个静态数据结构里面，等读到板子上真正贴的flash的id后，和这个数据结构里面的id进行比较，如果相同，就把这个结构里面相应的flash的访问方式，分区等赋给相应的变量

在Application_Initialize进行读id操作不晚，

oceanh · 发表于 2009-4-23 15:30:42

关注 [em12][em12][em12][em12]

hdhscuahong · 发表于 2009-4-26 23:42:11

是不是还要修改BOOTARM。S中的汇编代码？

gogogoing · 发表于 2009-4-27 14:06:38

我们已经做了，目前常用的几种都ok

paradise0207 · 发表于 2009-4-27 19:43:22

TO:gogogoing&&yxj5421 ,谢谢两位的指点，我尝试了修改代码，但还是没有兼容成功，两位能否提供相关的实例代码，鄙人不胜感激。paradise.on.net@163.com

hee18 · 发表于 2009-6-18 21:21:38

高通的W平台和EVDO平台可以可以实现不同厂商的FLASH共存,MTK的没有接触过

BrightHan · 发表于 2009-6-18 23:48:16

最好不要做Flash的兼容，出现问题后，很难调试，会出现校准数据丢失等现象（造成无法进行呼叫等）。

xiaohaoxiao1 · 发表于 2009-6-22 11:39:31

事实上，只要两个FLASH 的ID不一样，应该都可以做兼容。知识根据两个FLASH 的BLOCK划分不一样（小BLOCK），可能会造成一些空间浪费。

kyoky82 · 发表于 2009-6-22 11:49:55

可以做兼容的，只是我不知道怎么做
没有去做过

tanyang531 · 发表于 2010-6-7 23:59:02

学习学习

wesley29 · 发表于 2010-6-9 10:25:55

可以做兼容

lqfellow · 发表于 2010-7-21 22:32:59

我也正在做这个工作，目前兼容了toshiba 和 numonyx的几颗 128M的，但是64M的有single bank兼容问题，很是麻烦，不知道有谁做过这块，不吝指教一下啊！！！[em10]
相同的device id的flash可以读取CFI中关于Psram的类型（这个是numonyx的fae说的，当然要在某个datecode946之后的flash批次才行）。

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