看后对mosfet的设计及应用有很大的帮助，我在设计的时候获益不小呀！

0739zzx · 发表于 2008-9-4 17:43:37

开态电阻RDS(on)主要受沟道、JFET（积累层）、漂移区和寄生效应（多层金属，键和线和封装）等因素的影响。电压超过150V时，RDS(on)主要取决于漂移区电阻。高压MOSFET中RDS(on) 与电流的相关较弱。电流增大一倍RDS(on)仅提高了6%，见图2。

0739zzx · 发表于 2008-9-4 17:46:50

【文件名】:0894@52RD_设计稳定的DC控制回路.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:1160K
【简　介】:
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0739zzx · 发表于 2008-9-4 18:15:21

资料怎么上传不了[em07]

feishuang · 发表于 2008-9-11 21:22:06

good thing!!!!!!

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[资料] 看后对mosfet的设计及应用有很大的帮助，我在设计的时候获益不小呀！