CREE Ku波段70W 氮化镓GaN HEMT裸芯片CGHV1J070D

Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的领先供应商。典型应用包括

双通道私人电台 宽带放大器 蜂窝基础设施 测试仪器 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括

高导热性 高击穿电 高饱和电子漂移速度 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。

CGHV1J070D性能特征：

17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz 60% Typ. PAE at 10 GHz 70 W Typical Psat 40 V Operation Up to 18 GHz Operation

•   CGHV1J025D应用范围：

Broadband Amplifiers 宽带放大器 Radar雷达 Satcom & Point-to-Point Radio  卫星通信和点对点无线电 Telecom Milcom  军事通讯 

相关型号如下：

CGHV14500F

CGHV1J006D 

CGHV1J025D 

• CGHV1J025D尺寸规格：

北京阿斯托电子科技有限公司

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